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IXYP24N100C4

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		栅极驱动双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	370K
描述
通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达1200V的器件有助于降低栅极驱动要求和传导损耗。具有低热阻、低损耗、高电流密度和低栅极电荷要求的特点。

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IXYP24N100C4 数据手册

Advance Technical Information

1000V XPT^TM

GenX4^TMIGBT

V_CES= 1000V

I_C110= 24A

V_CE(sat) 2.3V

t_fi(typ)= 40ns

IXYA24N100C4HV

IXYP24N100C4

High Speed IGBT

for 20-50kHz Switching

TO-263HV

(IXYA..HV)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

1000

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

C (Tab)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-220

(IXYP)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

132

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 10

Clamped Inductive Load

I_CM= 48

μs

C (Tab)

(RBSOA)

V_CE 0.8 • V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 660V, T_J= 150°C

G = Gate

= Collector

(SCSOA)

R_G= 50, Non Repetitive

e = Emitter

Tab = Collector

P_C

T_C= 25°C

375

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C

-55 ... +175

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



Optimized for Low Switching Losses

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)



M_d

F_C

Mounting Torque (TO-220)

Mounting Force (TO-263HV)

1.13/10

10..65 / 22..14.6

Nm/lb.in

N/lb

International Standard Packages

Weight

TO-263HV

TO-220

2.5

3.0

Advantages



High Power Density

Low Gate Drive Requirement



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1000

4.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS



6.5



25 A

500 μA



T_J= 150C



Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA

V_CE(sat)

I_C= 24A, V_GE= 15V, Note 1

1.86

2.30

DS100933A(9/18)

12 3 4 5 6 7 8

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与IXYP24N100C4相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYP30N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYP30N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP30N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP50N65C3	IXYS	获取价格	IGBT 650V 130A 600W TO220
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