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IXYP10N65C3D1M

更新时间： 2024-11-06 14:56:51

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	280K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYP10N65C3D1M 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TMw/Diode

V_CES= 650V

I_C110= 7A

IXYP10N65C3D1M

V_CE(sat) 2.6V

t_fi(typ)= 23ns

(Electrically Isolated Tab)

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

OVERMOLDED

TO-220

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

Isolated Tab

I_C25

I_C110

I_F110

I_CM

T_C= 25°C

G = Gate

E = Emitter

C = Collector

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

I_A

E_AS

T_C= 25°C

100

Features

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 50

Clamped Inductive Load

I_CM= 20

μs



Optimized for 20-60kHz Switching

Plastic Overmolded Tab for Electrical

Isolation

Square RBSOA

Avalanche Rated

Anti-Parallel Fast Diode

Short Circuit Capability

2500V~ Electrical Isolation

International Standard Package

(RBSOA)

@V_CE V_CES



t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C



(SCSOA)

R_G= 150, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

Advantages

V_ISOL

M_d

50/60 Hz, 1 Minute

Mounting Torque

2500

1.13 / 10

2.5

Nm/lb.in



High Power Density

Extremely Rugged

Low Gate Drive Requirement



Weight

Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0



10 A

400 A



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



High Frequency Power Inverters

V_CE(sat)

I_C= 10A, V_GE= 15V, Note 1

2.27

2.54

2.60

DS100605B(11/18)

12 3 4 5 6 7

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IXYP15N65C3D1	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information
IXYP15N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
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