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IXYN82N120C3

更新时间： 2024-02-15 19:26:17

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IXYS		栅
页数	文件大小	规格书
6页	169K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 105A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, MINIBLOC-4

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IXYN82N120C3 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	MINIBLOC-4
针数：	4	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.63	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	105 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	4.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-XUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	UNSPECIFIED	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	295 ns
标称接通时间 (ton)：	119 ns	Base Number Matches：	1

IXYN82N120C3 数据手册

IXYN82N120C3

Fig. 8. Gate Charge

Fig. 7. Transconductance

T_J= - 40ºC

V_CE= 600V

_C= 82A

_G= 10mA

25ºC

125ºC

100

120

140

160

100

120

140

160

180

200

220

I_C- Amperes

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area

Fig. 9. Capacitance

180

160

140

120

100

10,000

1,000

100

ies

oes

res

T_J= 150ºC

R_G= 2

Ω

dv / dt < 10V / ns

= 1 MHz

200

300

400

500

600

700

800

900

1000 1100 1200

V_CE- Volts

Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6

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