Datasheet > IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1

更新时间： 2024-11-05 12:35:35

品牌	Logo	应用领域
IXYS		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	192K
描述
High-Speed IGBT for 20-50 kHz Switching

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYN82N120C3H1 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	4.37	其他特性：	AVALANCHE RATED, UL RECOGNIZED
外壳连接：	ISOLATED	最大集电极电流 (IC)：	105 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PUFM-X4	元件数量：	1
端子数量：	4	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	500 W	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	NO	端子形式：	UNSPECIFIED
端子位置：	UPPER	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	295 ns
标称接通时间 (ton)：	119 ns	Base Number Matches：	1

IXYN82N120C3H1 数据手册

1200V XPT^TMIGBT

GenX3^TMw/ Diode

V_CES= 1200V

I_C110= 46A

V_CE(sat)≤ 3.2V

t_fi(typ)= 93ns

IXYN82N120C3H1

High-Speed IGBT

for 20-50 kHz Switching

SOT-227B, miniBLOC

E153432

E c

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C, R_GE= 1MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

E c

I_C25

I_C110

I_F110

T_C= 25°C (Chip Capability)

T_C= 110°C

105

G = Gate, C = Collector, E = Emitter

either emitter terminal can be used as

Main or Kelvin Emitter

I_CM

T_C= 25°C, 1ms

320

I_A

E_AS

T_C= 25°C

800

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 125°C, R_G= 2Ω

I_CM= 164

Features

(RBSOA)

Clamped Inductive Load

@V_CE≤ V_CES

Optimized for Low Switching Losses

Square RBSOA

Isolation Voltage 2500V~

Anti-Parallel Ultra Fast Diode

Positive Thermal Coefficient of

Vce(sat)

Avalanche Rated

High Current Handling Capability

P_C

T_C= 25°C

500

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

°C

-55 ... +150

V_ISOL

50/60Hz

I_ISOL≤ 1mA

t = 1min

t = 1s

2500

3000

International Standard Package

M_d

Mounting Torque

Terminal Connection Torque

1.5/13

1.3/11.5

Nm/lb.in.

Advantages

Weight

High Power Density

Low Gate Drive Requirement

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

1200

3.0

Typ.

Max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250μA, V_GE= 0V

I_C= 250μA, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V

High Frequency Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

5.0

50 μA

3 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0V, V_GE= ±20V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= 82A, V_GE= 15V, Note 1

2.75

3.50

3.20

Lamp Ballasts

DS100352D(03/13)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXYN82N120C3H1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYP10N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP10N65C3D1M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP15N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP15N65C3D1	IXYS	获取价格	Preliminary Technical Information
IXYP15N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP15N65C3D1M	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP20N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP20N65B3	IXYS	获取价格	Advance Technical Information

与IXYN82N120C3H1相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1 技术参数

IXYN82N120C3H1 数据手册

与IXYN82N120C3H1相关器件

与IXYN82N120C3H1相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYN82N120C3H1

IXYN82N120C3H1 技术参数

IXYN82N120C3H1 数据手册

与IXYN82N120C3H1相关器件

与IXYN82N120C3H1相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？