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IXYP8N90C3

更新时间： 2024-11-21 14:56:43
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
7页 205K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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900V XPTTM IGBT  
GenX3TM  
VCES = 900V  
IC110 = 8A  
VCE(sat)  3.0V  
tfi(typ) = 130ns  
IXYY8N90C3  
IXYP8N90C3  
High-Speed IGBT  
for 20-50 kHz Switching  
TO-252 (IXYY)  
G
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
900  
900  
V
V
C (Tab)  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-220 (IXYP)  
IC25  
IC110  
TC = 25°C  
TC = 110°C  
20  
8
A
A
ICM  
TC = 25°C, 1ms  
48  
A
G
C
C (Tab)  
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
4
A
E
15  
mJ  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 30  
Clamped Inductive Load  
ICM = 16  
A
Tab = Collector  
(RBSOA)  
@VCE VCES  
PC  
TC = 25°C  
125  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
Features  
-55 ... +175  
Optimized for Low Switching Losses  
Square RBSOA  
Positive Thermal Coefficient of  
Vce(sat)  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Avalanche Rated  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13/10  
Nm/lb.in.  
International Standard Packages  
Weight  
TO-252  
TO-220  
0.35  
3.00  
g
g
Advantages  
High Power Density  
Low Gate Drive Requirement  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
950  
3.5  
Typ.  
Max.  
Applications  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
High Frequency Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
6.0  
10 A  
150 μA  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 8A, VGE = 15V, Note 1  
2.15  
2.75  
3.00  
V
V
Lamp Ballasts  
© 2014 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100399B(12/14)  
1234567

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与IXYP8N90C3相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYP8N90C3D1 IXYS

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 		900V XPTTM IGBT
IXYP8N90C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65B3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65C3D1 IXYS

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 		Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR100N120C3 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR50N120C3D1 LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT12N250CV1HV LITTELFUSE

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 		这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYT20N120C3D1HV LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT30N450HV LITTELFUSE

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