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IXYP50N65C3

更新时间： 2024-11-06 14:56:11

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力特 - LITTELFUSE		开关双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	296K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。它们具有正集电

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IXYP50N65C3 数据手册

Preliminary Technical Information

XPT^TM650V IGBT

GenX3^TM

V_CES= 650V

I_C110= 50A

V_CE(sat) 2.10V

t_fi(typ)= 26ns

IXYA50N65C3

IXYP50N65C3

IXYH50N65C3

Extreme Light Punch Through

IGBT for 20-60kHz Switching

TO-263 (IXYA)

C (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220 (IXYP)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 175°C

650

T_J= 25°C to 175°C, R_GE= 1M

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

C (Tab)

I_C25

I_C110

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 110°C

T_C= 25°C, 1ms

132

250

TO-247 AD (IXYH)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

400

SSOA

V_GE= 15V, T_VJ= 150°C, R_G= 5

Clamped Inductive Load

I_CM= 100

μs

C (Tab)

(RBSOA)

V_CE V_CES

t_sc

V_GE= 15V, V_CE= 360V, T_J= 150°C

G = Gate

E = Emitter

= Collector

Tab = Collector

(SCSOA)

R_G= 82, Non Repetitive

P_C

T_C= 25°C

600

Features

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +175

175

°C



Optimized for 20-60kHz Switching

Square RBSOA

Avalanche Rated

Short Circuit Capability

International Standard Packages



-55 ... +175

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-247 & TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in

Advantages



Weight

TO-263

TO-220

TO-247

2.5

3.0

6.0

High Power Density

Extremely Rugged

Low Gate Drive Requirement



Applications

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

650

3.5

Typ.

Max.



Power Inverters

UPS

Motor Drives

SMPS

PFC Circuits

Battery Chargers

Welding Machines

Lamp Ballasts



BV_CES

V_GE(th)

I_CES

I_C= 250A, V_GE= 0V

I_C= 250A, V_CE= V_GE

V_CE= V_CES, V_GE= 0V



6.0



15 A

250 A



T_J= 150C



I_GES

V_CE= 0V, V_GE= 20V

100 nA



V_CE(sat)

I_C= 36A, V_GE= 15V, Note 1

1.73

2.10

High Frequency Power Inverters

DS100552C(9/14)

12 3 4 5 6 7

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与IXYP50N65C3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYP8N90C3	IXYS	获取价格	900V XPTTM IGBT
IXYP8N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP8N90C3D1	IXYS	获取价格	900V XPTTM IGBT
IXYP8N90C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65B3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYQ40N65C3D1	IXYS	获取价格	Advance Technical Information
IXYQ40N65C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR100N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYR50N120C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYT12N250CV1HV	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

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