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IXYP20N65C3D1

更新时间： 2024-11-06 14:56:19
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 开关双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 275K
描述
该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT?)设计平台生产，具有高电流处理能力、高速开关功能、较低的总能量损失和较短的电流下降时间。 它们具有正集电

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XPTTM 650V IGBT  
GenX3TM w/Diode  
VCES = 650V  
IC110 = 20A  
VCE(sat)  2.50V  
tfi(typ) = 28ns  
IXYA20N65C3D1  
IXYP20N65C3D1  
Extreme Light Punch Through  
IGBT for 20-60kHz Switching  
TO-263 AA (IXYA)  
G
E
Symbol  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
VCES  
VCGR  
TJ = 25°C to 175°C  
650  
650  
V
V
C (Tab)  
TJ = 25°C to 175°C, RGE = 1M  
VGES  
VGEM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
TO-220AB (IXYP)  
IC25  
IC110  
IF110  
ICM  
TC = 25°C  
50  
20  
18  
A
A
A
A
TC = 110°C  
TC = 110°C  
TC = 25°C, 1ms  
G
105  
C
C (Tab)  
E
IA  
EAS  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
10  
A
200  
mJ  
G = Gate  
E = Emitter  
C
= Collector  
SSOA  
VGE = 15V, TVJ = 150°C, RG = 20  
ICM = 40  
A
Tab = Collector  
(RBSOA)  
Clamped Inductive Load  
VCE VCES  
tsc  
VGE = 15V, VCE = 360V, TJ = 150°C  
10  
μs  
Features  
(SCSOA)  
RG = 82, Non Repetitive  
Optimized for 20-60kHz Switching  
Square RBSOA  
Avalanche Rated  
Anti-Parallel Fast Diode  
Short Circuit Capability  
International Standard Packages  
PC  
TC = 25°C  
200  
W
TJ  
TJM  
Tstg  
-55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
-55 ... +175  
TL  
TSOLD  
Maximum Lead Temperature for Soldering  
1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s  
300  
260  
°C  
°C  
Advantages  
Md  
FC  
Mounting Torque (TO-220)  
Mounting Force (TO-263)  
1.13/10  
10..65 / 2.2..14.6  
Nm/lb.in  
N/lb  
High Power Density  
Extremely Rugged  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Low Gate Drive Requirement  
Applications  
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
(TJ = 25C, Unless Otherwise Specified)  
Min.  
650  
3.5  
Typ.  
Max.  
Power Inverters  
UPS  
Motor Drives  
SMPS  
PFC Circuits  
Battery Chargers  
Welding Machines  
Lamp Ballasts  
BVCES  
VGE(th)  
ICES  
IC = 250A, VGE = 0V  
IC = 250A, VCE = VGE  
VCE = VCES, VGE = 0V  
V
V
6.0  
10 A  
400 A  
TJ = 150C  
TJ = 150C  
IGES  
VCE = 0V, VGE = 20V  
100 nA  
VCE(sat)  
IC = 20A, VGE = 15V, Note 1  
2.27  
2.44  
2.50  
V
V
High Frequency Power Inverters  
© 2015 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
DS100576C(3/15)  
12345678

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与IXYP20N65C3D1相关器件

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IXYP20N65C3D1M LITTELFUSE

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 		该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYP24N100A4 LITTELFUSE

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 		通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
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