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IXYH20N65B3

更新时间: 2022-02-26 13:30:47
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IXYS /
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6页 270K
描述
Advance Technical Information

IXYH20N65B3 数据手册

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IXYA20N65B3 IXYP20N65B3  
IXYH20N65B3  
Fig. 20. Inductive Turn-on Switching Times vs.  
Fig. 19. Inductive Turn-on Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Collector Current  
180  
160  
140  
120  
100  
80  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
0
17  
t r i  
td(on)  
- - - -  
t r i  
t
d(on) - - - -  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
R
G
= 20 , V = 15V  
T = 150ºC, V = 15V  
J
GE  
GE  
I
= 40A  
C
V
= 400V  
V
= 400V  
CE  
CE  
T = 150ºC  
J
I
= 20A  
C
T = 25ºC  
J
60  
40  
20  
0
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
90  
100  
10  
15  
20  
25  
30  
35  
40  
IC - Amperes  
RG - Ohms  
Fig. 21. Inductive Turn-on Switching Times vs.  
Junction Temperature  
90  
80  
70  
60  
50  
40  
30  
20  
10  
18  
t r i  
t
d(on) - - - -  
17  
16  
15  
14  
13  
12  
11  
10  
R
G
= 20 , V = 15V  
GE  
V
= 400V  
CE  
I
= 40A  
C
I
= 20A  
C
25  
50  
75  
100  
125  
150  
TJ - Degrees Centigrade  
IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.  
IXYS REF: IXY_20N65B3D1(3D-Y42) 02-15-2015  

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IXYH20N65C3 LITTELFUSE

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IXYH24N170C LITTELFUSE

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IXYH24N170CV1 LITTELFUSE

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通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程,这些高达
IXYH30N170C LITTELFUSE

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