Datasheet > IXYH20N65B3

IXYH20N65B3

更新时间： 2022-02-26 13:30:47

品牌	Logo	应用领域
IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	270K
描述
Advance Technical Information

阅读下载

中文翻译

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYH20N65B3 数据手册

IXYA20N65B3 IXYP20N65B3

IXYH20N65B3

Symbol Test Conditions

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Characteristic Values

TO-220 Outline

Min.

Typ.

Max.

g_fs

I_C= 20A, V_CE= 10V, Note 1

8.5

C_ies

C_oes

C_res

826

V_CE= 25V, V_GE= 0V, f = 1MHz

Q_g(on)

Q_ge

Q_gc

I_C= 20A, V_GE= 15V, V_CE= 0.5 • V_CES

t_d(on)

t_ri

E_on

t_d(off)

t_fi

Inductive load, T_J= 25°C

I_C= 20A, V_GE= 15V

0.50

103

Pins: 1 - Gate

3 - Emitter

2 - Collector

V_CE= 400V, R_G= 20

Note 2

E_of

0.45

0.70 mJ

t_d(on)

t_ri

Inductive load, T_J= 150°C

I_C= 20A, V_GE= 15V

E_on

t_d(off)

t_fi

0.93

124

147

0.76

V_CE= 400V, R_G= 20

Note 2

E_off

R_thJC

R_thCS

0.65 °C/W

°C/W

TO-220

TO-247

0.50

0.21

TO-247 Outline

°C/W

Notes:

1. Pulse test, t  300μs, duty cycle, d  2%.

2. Switching times & energy losses may increase for higher V_CE(clamp), T_Jor R_G.

TO-263 Outline

1 - Gate

2,4 - Collector

3 - Emitter

1 = Gate

2 = Collector

3 = Emitter

4 = Collector

ADVANCE TECHNICAL INFORMATION

The product presented herein is under development. The Technical Specifications offered are

derived from a subjective evaluation of the design, based upon prior knowledge and experi-

ence, and constitute a "considered reflection" of the anticipated result. IXYS reserves the right

to change limits, test conditions, and dimensions without notice.

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXYH20N65B3相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXYH20N65C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH24N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N170CV1	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、
IXYH24N90C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH24N90C3D1	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N120A4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N120B4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代（GenX4?）Trench IGBT工艺流程，这些高达
IXYH30N120C3	LITTELFUSE	获取价格	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT
IXYH30N120C4	LITTELFUSE	获取价格	通过利用XPT?薄晶圆技术和第4代 (GenX4?) Trench IGBT流程，这些高达
IXYH30N170C	LITTELFUSE	获取价格	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、

与IXYH20N65B3相关文章

压敏电阻器在直流电路中的过压保护应用探讨
2024-06-07

2
电感耐压值及其与电感大小的关系
2024-06-07

5
CNY17F光耦合器：特性、应用、封装、引脚功能及替换型号解析
2024-06-07

4
DS1307资料解析：特性、引脚说明、替代推荐
2024-06-07

3

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH20N65B3

IXYH20N65B3 数据手册

与IXYH20N65B3相关器件

与IXYH20N65B3相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXYH20N65B3

IXYH20N65B3 数据手册

与IXYH20N65B3相关器件

与IXYH20N65B3相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？