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力特 - LITTELFUSE | 双极性晶体管高压 | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
8页 | 238K | |
描述 | ||
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数,这些高压IGBT可用于并联,相比串联低电压器件更加 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IXYF30N170CV1 | LITTELFUSE | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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IXYF30N450 | IXYS | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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IXYF30N450 | LITTELFUSE | Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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IXYF40N450 | LITTELFUSE | 这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发,具有低热阻、低尾电流、 |
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IXYH100N65A3 | LITTELFUSE | 该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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IXYH100N65B3 | LITTELFUSE | 该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT |
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