Datasheet > IXYF16N250CV1

IXYF16N250CV1

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	238K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYF16N250CV1 数据手册

IXYF16N250CV1

Fig. 2. Extended Output Characteristics @ T_J= 25^oC

Fig. 1. Output Characteristics @ T_J= 25^oC

250

200

150

100

= 15V

14V

= 15V

12V

10V

13V

12V

11V

10V

0.5

1.5

2.5

3.5

4.5

5.5

V_CE- Volts

Fig. 4. Dependence of V_CE(sat)on

Junction Temperature

Fig. 3. Output Characteristics @ T_J= 150^oC

2.2

2.0

1.8

1.6

1.4

1.2

1.0

0.8

0.6

= 15V

12V

10V

= 15V

= 32A

= 16A

= 8A

-50

-25

100

125

150

175

V_CE- Volts

T_J- Degrees Centigrade

Fig. 5. Collector-to-Emitter Voltage vs.

Gate-to-Emitter Voltage

Fig. 6. Input Admittance

= 25^oC

= 32A

16A

= 150^oC

25^oC

- 40^oC

V_GE- Volts

1 234 5 6 7 8

下载PDF

与IXYF16N250CV1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF40N450	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格