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IXYF16N250CV1

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	238K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYF16N250CV1 数据手册

IXYF16N250CV1

Fig. 21. Diode Forward Characteristics

Fig. 22. Reverse Recovery Charge vs. -di_F/dt

4.5

4.0

3.5

3.0

2.5

2.0

1.5

1.0

T = 150^oC

= 1200V

= 32A

T = 25^oC

16A

T = 150^oC

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

V_F(V)

-di_F/ dt (A/μs)

Fig. 23 Reverse Recovery Current vs. -di_F/dt

Fg. 24. Reverse Recovery Time vs. -di_F/dt

240

220

200

180

160

140

= 32A

T = 150^oC

= 1200V

16A

32A

Fig. 26. Maximum Transient Thermal Impedance

16A

(Diode)

120

100

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

200

400

600

800

1000

1200

1400

1600

1800

di_F/dt (A/μs)

-di_F/dt (A/μs)

Fig. 25. Dynamic Parameters Q_{RR, RR}vs.

Fig. 26. Maximum Transient Thermal Impedance (Diode)

Junction Temperature

aaaaaa

1.05

1.00

0.95

0.90

0.85

0.80

= 1200V

= 16A

-diF /dt = 500A/μs

0.1

100

120

140

160

0.0001

0.001

0.01

0.1

T_J(ºC)

Pulse Width - Seconds

1...4 5 678

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