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IXYF16N250CV1

更新时间： 2023-12-06 20:13:06
品牌 Logo 应用领域
力特 - LITTELFUSE 双极性晶体管高压
页数 文件大小 规格书
8页 238K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。 凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYF16N250CV1 数据手册

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IXYF16N250CV1  
Fig. 13. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Collector Current  
Fig. 12. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Gate Resistance  
12  
10  
8
14  
12  
10  
8
14  
12  
10  
8
24  
20  
16  
12  
8
E
R
E
E
E
off  
on  
off  
on  
T = 150oC , V = 15V  
T = 150oC  
= 10  
V
Ω  
= 15V  
G
GE  
J
GE  
J
V
= 1250V  
V
= 1250V  
CE  
I
= 32A  
CE  
C
6
T = 25oC  
J
4
6
6
I
= 16A  
C
2
4
4
4
0
2
2
0
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
IC - Amperes  
RG - Ohms  
Fig. 15. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Gate Resistance  
Fig. 14. Inductive Switching Energy Loss vs.  
Junction Temperature  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
1000  
900  
800  
700  
600  
500  
400  
300  
200  
14  
12  
10  
8
16  
14  
12  
10  
8
E
R
E
t f i  
td(off)  
off  
on  
T = 150oC, V = 15V  
= 10  
V
Ω  
GE = 15V  
G
J
GE  
VCE = 1250V  
V
= 1250V  
CE  
I
= 32A  
C
I
= 16A  
C
6
I
= 32A  
C
4
6
IC = 16A  
2
4
0
0
2
10  
20  
30  
40  
50  
60  
70  
80  
25  
50  
75  
100  
125  
150  
RG - Ohms  
TJ - Degrees Centigrade  
Fig. 17. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Junction Temperature  
Fig. 16. Inductive Turn-off Switching Times vs.  
Collector Current  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
400  
360  
320  
280  
240  
200  
400  
350  
300  
250  
200  
150  
100  
50  
440  
400  
360  
320  
280  
240  
200  
160  
t f i  
td(off)  
t f i  
td(off)  
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω  
GE  
R
G
= 10 , V = 15V  
Ω  
GE  
V
= 1250V  
CE  
V
= 1250V  
CE  
T = 150oC  
J
I
= 32A  
C
T = 25oC  
J
I
= 16A  
C
25  
50  
75  
100  
125  
150  
8
12  
16  
20  
24  
28  
32  
IC - Amperes  
TJ - Degrees Centigrade  
© 2017 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
12345678

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