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IXYF16N250CV1

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

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力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	238K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

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IXYF16N250CV1 数据手册

IXYF16N250CV1

Fig. 19. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Fig. 18. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Gate Resistance

Collector Current

100

t _{r i}

t_d(on)

t _{r i}

t_d(on)

T = 150^oC, V = 15V

= 10 , V = 15V

Ω

= 1250V

= 32A

T = 150^oC

= 16A

T = 25^oC

I_C- Amperes

R_G- Ohms

Fig. 20. Inductive Turn-on Switching Times vs.

Junction Temperature

t _{r i}

t_d(on)

= 10 , V = 15V

Ω

= 1250V

= 32A

= 16A

100

125

150

T_J- Degrees Centigrade

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS REF: IXY_16N250CV1HV(5P-AT628) 4-05-17-A

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF40N450	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格