Datasheet > IXYF16N250CV1

IXYF16N250CV1

更新时间： 2023-12-06 20:13:06

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		双极性晶体管高压
页数	文件大小	规格书
8页	238K
描述
这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、低能量损耗和快速切换等特点。凭借通态电压的正温度系数，这些高压IGBT可用于并联，相比串联低电压器件更加

阅读下载

获取价格

数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXYF16N250CV1 数据手册

IXYF16N250CV1

Fig. 7. Transconductance

Fig. 8. Gate Charge

= - 40^oC

V_CE= 1250V

I_C= 16A

I_G= 10mA

25^oC

150^oC

100

I_C- Amperes

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 9. Capacitance

Fig. 10. Reverse-Bias Safe Operating Area

10,000

1,000

100

= 1 MHz

ies

oes

= 150^oC

= 10

Ω

dv / dt < 10V / ns

res

250

500

750

1000

1250

1500

1750

2000

2250

2500

V_CE- Volts

Fig. 11. Maximum Transient Thermal Impedance (IGBT)

0.1

0.01

0.001

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Pulse Width - Seconds

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6 7 8

下载PDF

与IXYF16N250CV1相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
IXYF30N170CV1	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	IXYS	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF30N450	LITTELFUSE	Insulated Gate Bipolar Transistor,	获取价格
IXYF40N450	LITTELFUSE	这些器件采用我们专有的XPT?薄晶圆技术和最先进的IGBT工艺研发，具有低热阻、低尾电流、	获取价格
IXYH100N65A3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格
IXYH100N65B3	LITTELFUSE	该系列器件通过最先进的GenX3? IGBT工艺和超轻Punch Through (XPT	获取价格