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IXTT110N10P

更新时间： 2024-04-09 18:40:53

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	238K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

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IXTT110N10P 数据手册

IXTQ 110N10P

IXTT 110N10P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

250

225

200

175

150

125

100

T_J= -40 C

₂₅º_C

₁₅₀º_C

T_J= -40 C

₂₅º_C

₁₅₀º_C

100

150

I _D- Amperes

200

250

300

V_{G S}- Volts

Fig. 9. Source Current vs.

Source-To-Drain Voltage

Fig. 10. Gate Charge

350

300

250

200

150

100

V_DS= 50V

_D= 55A

_G= 10mA

T_J= 150 C

T_J= 25 C

0.4

0.6

0.8

V_{S D}- Volts

1.2

1.4

1.6

1.8

Q _G- nanoCoulombs

100

120

Fig. 12. Forward-Bias

Safe Operating Area

Fig. 11. Capacitance

10000

1000

100

1000

100

T_J= 175 C

_C= 25 C

R_DS(on)Limit

iss

25µs

100µs

1ms

oss

10ms

rss

f = 1MHz

V_DS- Volts

100

1000

V_{D S}- Volts

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

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