Datasheet > IXTP36P15P

IXTP36P15P

更新时间： 2024-01-11 22:50:48

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		局域网开关脉冲晶体管
页数	文件大小	规格书
7页	176K
描述
Power Field-Effect Transistor,

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP36P15P 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.74
Base Number Matches：	1

IXTP36P15P 数据手册

PolarP^TM

Power MOSFETs

IXTA36P15P

IXTP36P15P

IXTQ36P15P

IXTH36P15P

V_DSS= - 150V

I_D25

= - 36A

R_DS(on)

≤ 110mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

TO-220AB (IXTP)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

TO-247 (IXTH)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 150

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

D = Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 36

- 90

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

I_A

T_C= 25°C

- 36

1.5

E_AS

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

300

^zInternational Standard Packages

^zRugged PolarP^TMProcess

^zAvalanche Rated

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

^zLow Package Inductance

^zFast Intrinsic Diode

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zDynamic dv/dt Rated

M_d

Mounting Torque (TO-3P,TO-220 & TO-247)

1.13/10

Nm/lb.in.

N/lb.

Low R_DS(ON)and Q_G

F_C

Mounting Force (TO-263)

10..65/2.2..14.6

^zLow Drain-to-Tab Capacitance

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

- 150

- 2.5

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250 μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

- 4.5

±100 nA

I_DSS

-10 μA

- 250 μA

T_J= 125°C

Current Regulators

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

110 mΩ

DS99791D(01/13)

12 3 4 5 6 7

中文翻译

下载PDF

与IXTP36P15P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP3N100D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicond
IXTP3N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP3N100P	IXYS	获取价格	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP3N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP3N110	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP3N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET
IXTP3N50D2	LITTELFUSE	获取价格	不同于增强型MOSFET，这些耗尽型器件在“常开”模式下运行，因此栅极引出线处需要的开启电
IXTP3N50P	IXYS	获取价格	PolarHV Power MOSFET