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IXTP24P085T

更新时间： 2024-09-13 19:03:39

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IXYS		/
页数	文件大小	规格书
6页	198K
描述
Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-220AB, PLASTIC, TO-220, 3 PIN

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IXTP24P085T 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	TO-220AB	包装说明：	PLASTIC, TO-220, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	4.47
其他特性：	AVALANCHE RATED	雪崩能效等级（Eas）：	200 mJ
外壳连接：	DRAIN	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	85 V	最大漏极电流 (Abs) (ID)：	24 A
最大漏极电流 (ID)：	24 A	最大漏源导通电阻：	0.065 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	83 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	80 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	NO	端子面层：	Pure Tin (Sn)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

IXTP24P085T 数据手册

TrenchP^TM

Power MOSFETs

IXTA24P085T

IXTP24P085T

V_DSS= - 85V

I_D25= - 24A

R_DS(on)

≤

65mΩ

P-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

- 85

V_DGR

TO-220AB (IXTP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±15

±25

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

- 24

- 80

D (Tab)

= Drain

I_A

E_AS

T_C= 25°C

- 24

200

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

P_D

T_C= 25°C

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

^zInternational Standard Packages

^zAvalanche Rated

T_L

T_SOLD

1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zExtended FBSOA

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13/10

Nm/lb.in.

^zFast Intrinsic Diode

Weight

TO-220

TO-263

3.0

2.5

Low R_DS(ON)and Q_G

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

Min. Typ. Max.

Applications

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

High-Side Switching

Push Pull Amplifiers

DC Choppers

Automatic Test Equipment

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= - 250μA

V_DS= V_GS, I_D= - 250μA

V_GS= ±15V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

- 85

- 2.5

- 4.5

±50 nA

Current Regulators

I_DSS

- 3 μA

-100 μA

Battery Charger Applications

T_J= 125°C

R_DS(on)

V_GS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

65 mΩ

DS99969B(01/13)

12 3 4 5 6

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IXTP24P085T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA24P085T	IXYS	完全替代	Power Field-Effect Transistor, 24A I(D), 85V, 0.065ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

与IXTP24P085T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP260N055T2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 260A I(D), 55V, 0.0033ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, M
IXTP260N055T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP26P10T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 100V, 0.09ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP26P10T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP26P20P	IXYS	获取价格	P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP26P20P	LITTELFUSE	获取价格	Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(
IXTP270N04T4	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP270N04T4	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IXTP28P065T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP28P065T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 28A I(D), 65V, 0.045ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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