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IXTP2N80

更新时间： 2024-09-27 21:54:03

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High Voltage MOSFET

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IXTP2N80 数据手册

Advanced Technical Information

IXTA 2N80

IXTP 2N80

High Voltage MOSFET

V_DSS= 800 V

I_D252 A

R_DS(on)= 6.2 Ω

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Energy Rated

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-220AB (IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

800

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

V_GS

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

V_GSM

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-263 AA (IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 18 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

S = Source,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

-55 ... +150

150

°C

T_JM

T_stg

-55 ... +150

Features

M_d

Mountingtorque

1.13/10 Nm/lb.in.

Weight

Internationalstandardpackages

Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

Rugged polysilicon gate cell structure

Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

Fast switching times

Maximumleadtemperatureforsoldering

300

°C

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

Switch-modeandresonant-mode

powersupplies

Flyback inverters

DC choppers

V_DSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

800

2.5

V_GS(th)

5.5

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

Advantages

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

500 µA

T_J= 125°C

Space savings

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

Pulse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

6.2

Ω

High power density

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98541A03/24/00

1 - 2

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IXTP2N80 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTP2N80P	IXYS	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTA2N80	IXYS	类似代替	High Voltage MOSFET
IXTY2N80P	IXYS	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o

与IXTP2N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTP2N95	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP2R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP2R4N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

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