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IXTP32N20T

更新时间： 2024-11-20 12:27:43
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描述
TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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TrenchTM  
Power MOSFET  
VDSS = 200V  
ID25 = 32A  
RDS(on) ≤ 78mΩ  
IXTA32N20T  
IXTP32N20T  
N-Channel Enhancement Mode  
Avalanche Rated  
TO-263 AA (IXTA)  
Fast Intrinsic Rectifier  
G
S
D (Tab)  
Symbol  
VDSS  
Test Conditions  
Maximum Ratings  
TO-220AB (IXTP)  
TJ = 25°C to 175°C  
TJ = 25°C to 175°C, RGS = 1MΩ  
200  
200  
V
V
VDGR  
VGSS  
VGSM  
Continuous  
Transient  
±20  
±30  
V
V
G
D
D (Tab)  
= Drain  
ID25  
IDM  
TC = 25°C  
32  
64  
A
A
S
TC = 25°C, Pulse Width Limited by TJM  
IA  
TC = 25°C  
TC = 25°C  
16  
A
G = Gate  
S = Source  
D
Tab = Drain  
EAS  
250  
mJ  
dv/dt  
PD  
IS ≤ IDM, VDD ≤ VDSS, TJ ≤ 175°C  
TC = 25°C  
10  
V/ns  
W
Features  
200  
TJ  
- 55 ... +175  
175  
°C  
°C  
°C  
z International Standard Packages  
z 175°C Operating Temperature  
z Avalanche Rated  
TJM  
Tstg  
- 55 ... +175  
z
Low RDS(on)  
TL  
Tsold  
1.6mm (0.062in.) from Case for 10s  
Plastic Body for 10 Seconds  
300  
260  
°C  
°C  
z Fast Intrinsic Rectifier  
z High Current Handling Capability  
Md  
Mounting Torque (TO-220)  
1.13 / 10  
Nm/lb.in.  
Weight  
TO-263  
TO-220  
2.5  
3.0  
g
g
Advantages  
z
Easy to Mount  
Space Savings  
High Power Density  
z
Symbol  
Test Conditions  
Characteristic Values  
z
(TJ = 25°C Unless Otherwise Specified)  
Min. Typ.  
Max.  
BVDSS  
VGS(th)  
IGSS  
VGS = 0V, ID = 250μA  
VDS = VGS, ID = 250μA  
VGS = ± 20V, VDS = 0V  
VDS = VDSS, VGS= 0V  
200  
3.0  
V
V
Applications  
5.0  
±100 nA  
μA  
z DC-DC Converters  
z Battery Chargers  
IDSS  
3
z Switch-Mode and Resonant-Mode  
Power Supplies  
TJ = 150°C  
VGS = 10V, ID = 0.5 • ID25, Notes 1, 2  
200 μA  
78 mΩ  
z DC Choppers  
z AC Motor Drives  
RDS(on)  
z Uninterruptible Power Supplies  
z High Speed Power Switching  
Applications  
DS99959B(10/10)  
© 2010 IXYS CORPORATION, All Rights Reserved  
123456

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IXTP32N20T 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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