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IXTP32N20T

更新时间： 2024-02-04 20:18:55

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描述
TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

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IXTP32N20T 数据手册

Trench^TM

Power MOSFET

V_DSS= 200V

I_D25= 32A

R_DS(on)≤ 78mΩ

IXTA32N20T

IXTP32N20T

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 AA (IXTA)

Fast Intrinsic Rectifier

D (Tab)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

TO-220AB (IXTP)

T_J= 25°C to 175°C

T_J= 25°C to 175°C, R_GS= 1MΩ

200

V_DGR

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (Tab)

= Drain

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

I_A

T_C= 25°C

G = Gate

S = Source

Tab = Drain

E_AS

250

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 175°C

T_C= 25°C

V/ns

Features

200

T_J

- 55 ... +175

175

°C

^zInternational Standard Packages

^z175°C Operating Temperature

^zAvalanche Rated

T_JM

T_stg

- 55 ... +175

Low R_DS(on)

T_L

T_sold

1.6mm (0.062in.) from Case for 10s

Plastic Body for 10 Seconds

300

260

°C

^zFast Intrinsic Rectifier

^zHigh Current Handling Capability

M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in.

Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Advantages

Easy to Mount

Space Savings

High Power Density

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

200

3.0

Applications

5.0

±100 nA

μA

^zDC-DC Converters

^zBattery Chargers

I_DSS

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

T_J= 150°C

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Notes 1, 2

200 μA

78 mΩ

^zDC Choppers

^zAC Motor Drives

R_DS(on)

^zUninterruptible Power Supplies

^zHigh Speed Power Switching

Applications

DS99959B(10/10)

12 3 4 5 6

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IXTP32N20T 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXTA32N20T	IXYS	类似代替	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated

与IXTP32N20T相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP32N65X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTP32N65XM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP32N65XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTP32P05T	IXYS	获取价格	TrenchPTM Power MOSFETs P-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP32P05T	LITTELFUSE	获取价格	Trench P通道MOSFET非常适合“高压侧”开关应用，这些应用可采用简单的接地参考驱
IXTP32P20T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP340N04T4	LITTELFUSE	获取价格	40V TrenchT4?功率MOSFET构成新一代高电流Trench器件。它可提供27
IXTP36N30P	IXYS	获取价格	PolarHT Power MOSFET
IXTP36N30P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met

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