Datasheet > IXTP36N30P

IXTP36N30P

更新时间： 2024-11-19 14:56:39

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	319K
描述
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。这些器件包含了Polar技术平台，以实现低导通电阻（Rdson）。 Polar标准MOS

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP36N30P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.45	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	1000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	300 V
最大漏极电流 (ID)：	36 A	最大漏源导通电阻：	0.11 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	90 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON

IXTP36N30P 数据手册

PolarHT^TM

Power MOSFET

IXTA 36N30P

IXTP 36N30P

IXTQ 36N30P

V_DSS= 300 V

I_D2536 A

R_DS(on)≤ 110 mΩ

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25° C to 150° C

T_J= 25° C to 150° C; R_GS= 1 MΩ

300

D(TAB)

V_GS

Continuous

Transient

V_GSM

TO-220 (IXTP)

I_D25

I_DM

T_C=25° C

T_C= 25° C, pulse width limited by T_JM

I_AR

T_C=25° C

E_AR

E_AS

T_C=25° C

D(TAB)

1.0

TO-3P (IXTQ)

dv/dt

P_D

I_S≤I_DM, di/dt ≤100 A/µs, V_DD≤V_DSS

T_J≤150° C, R_G= 10 Ω

V/ns

T_C=25° C

300

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

D(TAB)

T_L

T_SOLD

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

Plastic body for 10 s

300

260

°C

G = Gate

S = Source

D = Drain

TAB = Drain

M_d

Mounting torque

(TO-3P / TO-220)

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

TO-3P

TO-220

TO-263

5.5

International standard packages

Unclamped Inductive Switching (UIS)

rated

Low package inductance

- easy to drive and to protect

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25° C, unless otherwise specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250µA

V_GS= 20 V_DC, V_DS= 0

300

Advantages

3.0

5.5

Easy to mount

Space savings

100

High power density

I_DSS

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

200

µA

T_J= 125° C

R_DS(on)

V_GS= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

110 mΩ

Pulse test, t ≤300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

DS99155E(10/05)

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

与IXTP36N30P相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP36P15P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 36A I(D), 150V, 0.11ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IXTP36P15P	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP3N100D2	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 5.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semicond
IXTP3N100D2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP3N100P	IXYS	获取价格	Polar VHVTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode
IXTP3N100P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP3N110	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	IXYS	获取价格	High Voltage Power MOSFETs
IXTP3N120	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP3N50D2	IXYS	获取价格	Depletion Mode MOSFET

与IXTP36N30P相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

17
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

42
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

36

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP36N30P

IXTP36N30P 技术参数

IXTP36N30P 数据手册

与IXTP36N30P相关器件

与IXTP36N30P相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP36N30P

IXTP36N30P 技术参数

IXTP36N30P 数据手册

与IXTP36N30P相关器件

与IXTP36N30P相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？