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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP2R4N120P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP2R4N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP2R4N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP300N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP30N08MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP30N08MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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| IXTP30N10MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP30N10MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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| IXTP30N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP32N20T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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