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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.92 | Is Samacsys： | N |
| 配置： | Single | 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 2 A |
| FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR | JESD-609代码： | e0 |
| 工作模式： | ENHANCEMENT MODE | 最高工作温度： | 150 °C |
| 极性/信道类型： | P-CHANNEL | 最大功率耗散 (Abs)： | 75 W |
| 子类别： | Other Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXTP2R4N120P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me |
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| IXTP2R4N120P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP2R4N50P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 |
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| IXTP300N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP30N08MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP30N08MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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| IXTP30N10MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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| IXTP30N10MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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| IXTP30N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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| IXTP32N20T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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