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IXTP300N04T2

更新时间： 2024-09-28 21:20:35

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力特 - LITTELFUSE		/
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描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP300N04T2 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.74	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

IXTP300N04T2 数据手册

TrenchT2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 40V

I_D25= 300A

R_DS(on) 2.5m

IXTA300N04T2

IXTP300N04T2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

TO-263 (IXTA)

D (Tab)

TO-220 (IXTP)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

T_J= 25C to 175C

V_DGR

T_J= 25C to 175C, R_GS= 1M

V_GSM

Transient

20

I_D25

I_L(RMS)

I_DM

T_C= 25C

External Lead Current Limit

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

300

120

900

D (Tab)

G = Gate

= Drain

S = Source Tab = Drain

I_A

T_C= 25C

100

600

E_AS

P_D

T_C= 25C

480

Features

T_J

-55 ... +175

175



C

T_JM

T_stg



International Standard Packages

Avalanche Rated

Low Package Inductance

Fast Intrinsic Rectifier

-55 ... +175



T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



175°C Operating Temperature

High Current Handling Capability

ROHS Compliant

High Performance Trench

F_C

M_d

Mounting Force (TO-263)

Mounting Torque (TO-220)

10..65 / 2.2..14.6

1.13 / 10

N/lb

Nm/lb.in



Weight

TO-263

TO-220

2.5

3.0

Technology for extremely low R_DS(on)

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values



(T_J= 25C Unless Otherwise Specified)

Min. Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250A

V_DS= V_GS, I_D= 250A

V_GS=  20V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

2.0

4.0



Automotive Engine Control

Synchronous Buck Converter

           200 nA

A



I_DSS

(for Notebook SystemPower &

T_J= 150C

V_GS= 10V, I_D= 150A, Notes 1 & 2

150 A

2.5 m

General Purpose Point & Load)

DC/DC Converters

High Current Switching Applications



R_DS(on)



Power Train Management

Distributed Power Architecture

_

DS100032A(7/18)

12 3 4 5 6 7

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与IXTP300N04T2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP30N08MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP30N08MB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 80V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220(5)
IXTP30N10MA	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP30N10MB	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 100V V(BR)DSS \| 30A I(D) \| TO-220(5)
IXTP30N25L2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP32N20T	IXYS	获取价格	TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated
IXTP32N20T	LITTELFUSE	获取价格	沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用，所需的RDS(on)极低，因此确保了非常低
IXTP32N65X	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通
IXTP32N65XM	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTP32N65XM	LITTELFUSE	获取价格	采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件，具有业内最低的导通

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