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力特 - LITTELFUSE | ![]() |
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页数 | 文件大小 | 规格书 |
6页 | 280K | ![]() |
描述 | ||
Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡的器件解决方案。 这些器件纳入了Polar技术平台,以实现低导通电阻(RDS(ON))。 Polar标准M |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTP300N04T2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP30N08MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IXTP30N08MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 80V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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IXTP30N10MA | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
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IXTP30N10MB | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 100V V(BR)DSS | 30A I(D) | TO-220(5) |
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IXTP30N25L2 | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, |
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IXTP32N20T | IXYS |
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TrenchTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated |
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IXTP32N20T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 |
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IXTP32N65X | LITTELFUSE |
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采用快速体二极管的超级结X-Class功率MOSFET是坚固耐用的器件,具有业内最低的导通 |
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IXTP32N65XM | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, |
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