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IXTP2N65X2

更新时间： 2024-11-05 21:05:47

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5页	214K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP2N65X2 技术参数

生命周期：	Transferred	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	8.53
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

IXTP2N65X2 数据手册

Preliminary Technical Information

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 2A

R_DS(on) 2.3

IXTY2N65X2

IXTP2N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

TO-220 (IXTP)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

E_AS

100

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated



M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Low Package Inductance

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

100 nA

A



I_DSS



T_J= 125C

100 A



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.3



DS100654B(5/17)

12 3 4 5

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IXTP2N65X2 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
SPP02N60C3HKSA1	INFINEON	功能相似	Power Field-Effect Transistor, 1.8A I(D), 600V, 3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal

与IXTP2N65X2相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP2N80	IXYS	获取价格	High Voltage MOSFET
IXTP2N80	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTP2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTP2N95	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP2R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡

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