Datasheet > IXTP2N80

IXTP2N80

更新时间： 2024-11-06 14:56:47

品牌	Logo	应用领域
力特 - LITTELFUSE		开关高压脉冲电源开关调节器
页数	文件大小	规格书
3页	144K
描述
高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉冲电路和电流调节器。功能与特色: 应用: 优点:

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IXTP2N80 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTP2N80 数据手册

V_DSS= 800 V

I_D252 A

R_DS(on)= 6.2 Ω

IXTA 2N80

IXTP 2N80

High Voltage MOSFET

N-ChannelEnhancementMode

AvalancheEnergyRated

PreliminaryData

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

TO-220AB(IXTP)

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C; R_GS= 1 MΩ

800

V_GS

V_GSM

Continuous

Transient

±20

±30

D (TAB)

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, pulse width limited by T_JM

TO-263AA(IXTA)

I_AR

E_AR

E_AS

T_C= 25°C

200

dv/dt

I_S≤ I_DM, di/dt ≤ 100 A/µs, V_DD≤ V_DSS

T_J≤ 150°C, R_G= 18 Ω

V/ns

D (TAB)

P_D

T_C= 25°C

G = Gate,

D = Drain,

TAB = Drain

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

S = Source,

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

Features

Weight

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

y International standard packages

y Low R_{DS (on)}HDMOS^TMprocess

y Rugged polysilicon gate cell structure

y Low package inductance (< 5 nH)

- easy to drive and to protect

y Fast switching times

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

Applications

min. typ. max.

V_DSS

V_GS(th)

V_GS= 0 V, I_D= 250 µA

V_DS= V_GS, I_D= 250 µA

800

2.5

y Switch-mode and resonant-mode

power supplies

5.5

y Flyback inverters

I_GSS

I_DSS

V_GS= ±20 V_DC, V_DS= 0

±100 nA

y DC choppers

V_DS= V_DSS

V_GS= 0 V

25 µA

Advantages

T_J= 125°C

500 µA

R_DS(on)

= 10 V, I_D= 0.5 I_D25

6.2

Ω

y Space savings

y High power density

P^Gu^Slse test, t ≤ 300 µs, duty cycle d ≤ 2 %

98541B(01/03)

12 3

中文翻译

下载PDF

与IXTP2N80相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXTP2N80P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2A I(D), 800V, 6ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
IXTP2N95	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2N95A	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET,
IXTP2P45	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 450V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2P50	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| P-CHANNEL \| 500V V(BR)DSS \| 2A I(D) \| TO-220
IXTP2R4N120P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 1200V, 7.5ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Me
IXTP2R4N120P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP2R4N50P	LITTELFUSE	获取价格	Polar?标准功率MOSFET经过专门定制，可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡
IXTP300N04T2	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,

与IXTP2N80相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP2N80

IXTP2N80 技术参数

IXTP2N80 数据手册

与IXTP2N80相关器件

与IXTP2N80相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IXTP2N80

IXTP2N80 技术参数

IXTP2N80 数据手册

与IXTP2N80相关器件

与IXTP2N80相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？