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IXTP2N65X2

更新时间： 2024-11-05 19:49:55

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力特 - LITTELFUSE		/
页数	文件大小	规格书
6页	258K
描述
Power Field-Effect Transistor,

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IXTP2N65X2 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.76
Base Number Matches：	1

IXTP2N65X2 数据手册

X2-Class

Power MOSFET

V_DSS= 650V

I_D25= 2A

R_DS(on) 2.3

IXTY2N65X2

IXTP2N65X2

N-Channel Enhancement Mode

TO-252 (IXTY)

Symbol

V_DSS

Test Conditions

Maximum Ratings

D (Tab)

T_J= 25C to 150C

650

TO-220 (IXTP)

V_DGR

T_J= 25C to 150C, R_GS= 1M

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

30

40

I_D25

I_DM

T_C= 25C

T_C= 25C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

T_C= 25C

E_AS

100

G = Gate

= Drain

S = Source

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S I_DM, V_DD V_DSS, T_J 150°C

T_C= 25C

V/ns

T_J

-55 ... +150

150

C

T_JM

T_stg

Features

-55 ... +150

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

1.6 mm (0.062in.) from Case for 10s

300

260

°C



International Standard Packages

Low Q_G

Avalanche Rated



M_d

Mounting Torque (TO-220)

1.13 / 10

Nm/lb.in

Low Package Inductance

Weight

TO-252

TO-220

0.35

3.00

Advantages



High Power Density

Easy to Mount

Space Savings



Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

Applications

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

650



3.0

5.0

Switch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

DC-DC Converters

PFC Circuits

AC and DC Motor Drives

100 nA

A



I_DSS



T_J= 125C

100 A



Robotics and Servo Controls

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

2.3



DS100654D(6/18)

12 3 4 5 6

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