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IXTK180N15P

更新时间： 2024-01-12 21:19:38

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5页	168K
描述
PolarHTTM Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode

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IXTK180N15P 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	4.95	其他特性：	AVALANCHE RATED
雪崩能效等级（Eas）：	4000 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	100 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)：	180 A	最大漏极电流 (ID)：	180 A
最大漏源导通电阻：	0.01 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码：	TO-264AA	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
JESD-609代码：	e1	元件数量：	1
端子数量：	3	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：	175 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	800 W	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	380 A
认证状态：	Not Qualified	子类别：	FET General Purpose Power
表面贴装：	NO	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON

IXTK180N15P 数据手册

IXTK 180N15P

Fig. 1. Output Characteristics

@ 25

Fig. 2. Extended Output Characteristics

@ 25 C

180

160

140

120

100

320

280

240

200

160

120

V_GS= 10V

= 10V

0.4

0.8

1.2

1.6

V_{D S}- Volts

Fig. 3. Output Characteristics

@ 150

Fig. 4. R_DS(onNormalized to 0.5 I_D25

Value vs. Junction Temperature

)

180

160

140

120

100

2.8

2.6

2.4

2.2

V_GS= 10V

I_D= 180A

1.8

1.6

1.4

1.2

I_D= 90A

0.8

0.6

0.5

1.5 2

V_{D S}- Volts

2.5

3.5

-50 -25

T_J- Degrees Centigrade

75 100 125 150 175

Fig. 5. R_DS(on)Normalized to 0.5 I_D25

Value vs. Drain Current

Fig. 6. Drain Current vs. Case

Temperature

3.4

3.1

2.8

2.5

2.2

1.9

1.6

1.3

External Lead Current Limit

T_J= 175 C

V_GS= 10V

= 15V

T_J= 25 C

0.7

-50 -25

T_C- Degrees Centigrade

75 100 125 150 175

100

150 200

I _D- Amperes

250

300

350

1 234 5

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