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IXTK170P10P

更新时间： 2024-04-09 18:40:59

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	172K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

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IXTK170P10P 数据手册

IXTK170P10P

IXTX170P10P

Fig. 8. Transconductance

Fig. 7. Input Admittance

100

-160

-140

-120

-100

-80

= - 40^oC

25^oC

125^oC

25^oC

125^oC

-60

-40

-20

-3.0

-3.5

-4.0

-4.5

-5.0

-5.5

-6.0

-6.5

-7.0

-4.5

-40

-20

-40

-60

-80

-100

-120

-140

-160

V_GS- Volts

I_D- Amperes

Fig. 9. Forward Voltage Drop of Intrinsic Diode

Fig. 10. Gate Charge

-300

-270

-240

-210

-180

-150

-120

-90

-10

-9

-8

-7

-6

-5

-4

-3

-2

-1

= - 50V

= - 85A

= -1mA

= 125^oC

= 25^oC

-60

-30

120

160

200

240

-0.5

-1.0

-1.5

-2.0

-2.5

-3.0

-3.5

-4.0

V_SD- Volts

Q_G- NanoCoulombs

Fig. 11. Capacitance

Fig. 12. Forward-Bias Safe Operating Area

100,000

10,000

1,000

100

-1,000

100μs

25μs

= 1 MHz

1ms

10ms

DS(on)

Limit

iss

100

oss

DC, 100ms

-10

T = 150ºC

rss

= 25ºC

Single Pulse

-5

-10

-15

-20

-25

-30

-35

100

V_DS- Volts

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

1 2 345 6

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