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IXTK170P10P

更新时间： 2024-04-09 18:40:59

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力特 - LITTELFUSE		开关栅栅极
页数	文件大小	规格书
6页	172K
描述
Polar? P通道MOSFET采用我们的Polar技术平台制造，相比传统产品将通态电阻(RDSon)显著降低30%，并将栅极电荷(Qg)降低40%，从而降低了传导损失，并能提供出色的开关性能。

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IXTK170P10P 数据手册

IXTK170P10P

IXTX170P10P

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

TO-264 AA Outline

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

g_fs

V_DS= -10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

V_GS= 0V, V_DS= - 25V, f = 1MHz

C_iss

C_oss

C_rss

12.6

4190

930

t_d(on)

t_r

t_d(off)

t_f

Resistive Switching Times

V_GS= -10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

R_G= 1 (External)

Terminals: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source

4 - Drain

Dim.

Millimeter

Inches

Min.

Max.

Min.

Max.

4.82

2.54

2.00

1.12

2.39

2.90

5.13

2.89

2.10

1.42

2.69

3.09

.190

.100

.079

.044

.094

.114

.202

.114

.083

.056

.106

.122

Q_g(on)

Q_gs

240

V_GS= -10V, V_DS= 0.5 • V_DSS, I_D= 0.5 • I_D25

Q_gd

120

0.53

25.91 26.16

19.81 19.96

5.46 BSC

0.83

.021

1.020

.780

.033

1.030

.786

R_thJC

R_thCS

0.14C/W

C/W

0.15

.215 BSC

0.00

0.25

.000

.010

20.32 20.83

.800

.090

.820

.102

2.29

2.59

Source-Drain Diode

3.17

3.66

.125

.144

6.07

8.38

6.27

8.69

.239

.330

.247

.342

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

3.81

1.78

4.32

2.29

.150

.070

.170

.090

(T_J= 25C, Unless Otherwise Specified)

Min.

Typ.

Max.

6.04

1.57

6.30

1.83

.238

.062

.248

.072

I_S

V_GS= 0V

-170

I_SM

V_SD

Repetitive, Pulse Width Limited by T_JM

I_F= - 85A, V_GS= 0V, Note 1

- 680

- 3.3

PLUS 247^TMOutline

t_rr

176

1.25

-14.2

C

I_F= - 85A, -di/dt = -100A/s

Q_RM

I_RM

V_R= - 50V, V_GS= 0V

Note

1: Pulse test, t  300s, duty cycle, d  2%.

Terminals: 1 - Gate

2 - Drain

3 - Source

Dim.

Millimeter

Min. Max.

Inches

Min. Max.

A₁

A₂

4.83

2.29

1.91

5.21

2.54

2.16

.190 .205

.090 .100

.075 .085

b₁

b₂

1.14

1.91

2.92

1.40

2.13

3.12

.045 .055

.075 .084

.115 .123

0.61

20.80 21.34

15.75 16.13

0.80

.024 .031

.819 .840

.620 .635

5.45 BSC

.215 BSC

19.81 20.32

.780 .800

.150 .170

3.81

4.32

5.59

4.32

6.20

4.83

.220 0.244

.170 .190

IXYS Reserves the Right to Change Limits, Test Conditions, and Dimensions.

IXYS MOSFETs and IGBTs are covered

by one or more of the following U.S. patents: 4,860,072 5,017,508

4,881,106 5,034,796

4,835,592 4,931,844

5,049,961

5,063,307

5,187,117

5,237,481

5,381,025

5,486,715

6,162,665

6,259,123 B1

6,306,728 B1

6,404,065 B1 6,683,344

6,534,343

6,583,505

6,727,585

6,710,405 B2 6,759,692

6,710,463

7,005,734 B2 7,157,338B2

7,063,975 B2

6,771,478 B2 7,071,537

123 4 5 6

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