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力特 - LITTELFUSE | / | |
页数 | 文件大小 | 规格书 |
7页 | 383K | |
描述 | ||
Power Field-Effect Transistor, |
生命周期: | Active | 包装说明: | , |
Reach Compliance Code: | unknown | 风险等级: | 5.39 |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IXTA4N80P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA4N80P | LITTELFUSE |
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Polar?标准功率MOSFET经过专门定制,可为设计人员提供在性能和成本之间取得最佳平衡 | |
IXTA50N20P | IXYS |
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PolarHT Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTA50N25T | IXYS |
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Trench Gate Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode | |
IXTA50N25T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA52P10P | LITTELFUSE |
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Power Field-Effect Transistor, | |
IXTA52P10P | IXYS |
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Power Field-Effect Transistor, 52A I(D), 100V, 0.05ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met | |
IXTA56N15T | IXYS |
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N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated | |
IXTA56N15T | LITTELFUSE |
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沟槽栅功率MOSFET适用于低电压/高电流应用,所需的RDS(on)极低,因此确保了非常低 | |
IXTA5N50P | IXYS |
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PolarHV Power MOSFET - N-Channel Enhancement Mode |