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IXTA460P2

更新时间： 2024-11-05 12:26:19

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描述
PolarP2â¢ Power MOSFET

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IXTA460P2 数据手册

PolarP2^TM

Power MOSFET

V_DSS= 500V

I_D25= 24A

R_DS(on)≤ 270mΩ

t_rr(typ)= 400ns

IXTA460P2

IXTP460P2

IXTQ460P2

IXTH460P2

N-Channel Enhancement Mode

Avalanche Rated

Fast Intrinsic Diode

TO-220AB (IXTP)

TO-263 AA (IXTA)

TO-3P (IXTQ)

D (Tab)

Symbol

Test Conditions

Maximum Ratings

V_DSS

V_DGR

T_J= 25°C to 150°C

T_J= 25°C to 150°C, R_GS= 1MΩ

500

TO-247 (IXTH)

V_GSS

V_GSM

Continuous

Transient

± 30

± 40

I_D25

I_DM

T_C= 25°C

T_C= 25°C, Pulse Width Limited by T_JM

D (Tab)

I_A

E_AS

T_C= 25°C

750

G = Gate

S = Source

= Drain

Tab = Drain

dv/dt

P_D

I_S≤ I_DM, V_DD≤ V_DSS, T_J≤ 150°C

T_C= 25°C

V/ns

480

T_J

T_JM

T_stg

-55 ... +150

150

-55 ... +150

°C

Features

T_L

T_SOLD

Maximum Lead Temperature for Soldering

Plastic Body for 10s

300

260

°C

^zAvalanche Rated

^zFast Intrinsic Diode

^zDynamic dv/dt Rated

^zLow Package Inductance

F_C

M_d

Mounting Force TO-263

10..65 / 2.2..14.6

Nm/lb.in.

Mounting Torque (TO-220, TO-3P & TO-247)

1.13 / 10

Weight

TO-263

TO-220

TO-3P

2.5

3.0

5.5

6.0

Advantages

TO-247

^zHigh Power Density

^zEasy to Mount

^zSpace Savings

Symbol

Test Conditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, Unless Otherwise Specified)

Min.

500

2.5

Typ.

Max.

BV_DSS

V_GS(th)

I_GSS

V_GS= 0V, I_D= 250μA

V_DS= V_GS, I_D= 250μA

V_GS= ± 30V, V_DS= 0V

V_DS= V_DSS, V_GS= 0V

Applications

4.5

^zSwitch-Mode and Resonant-Mode

Power Supplies

^zDC-DC Converters

± 100 nA

I_DSS

25 μA

^zLaser Drivers

^zAC and DC Motor Drives

^zRobotics and Servo Controls

T_J= 125°C

250 μA

R_DS(on)

V_GS= 10V, I_D= 0.5 • I_D25, Note 1

270 mΩ

DS100216B(06/10)

12 3 4 5 6

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXTA48N20T	IXYS	获取价格	N-Channel Enhancement Mode Avalanche Rated Fast Intrinsic Rectifier
IXTA48P05T	LITTELFUSE	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA48P05T	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 48A I(D), 50V, 0.03ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IXTA48P05T-TRL	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA4N150HV	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor,
IXTA4N150HV	LITTELFUSE	获取价格	高压系列N通道标准MOSFET适用于多种多样的电源开关系统，包括高压电源、电容放电电路、脉
IXTA4N60P	IXYS	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 4A I(D), 600V, 2ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-o
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