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IXST15N120BD1

更新时间： 2024-10-01 21:55:31

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2页	59K
描述
S Series - Improved SCSOA Capability

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IXST15N120BD1 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
其他特性：	FAST SWITCHING, LOW SWITCHING LOSSES	最大集电极电流 (IC)：	30 A
集电极-发射极最大电压：	1200 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-268AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	150 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	563 ns
标称接通时间 (ton)：	55 ns	Base Number Matches：	1

IXST15N120BD1 数据手册

IXSH 15N120BD1

IXST 15N120BD1

HIGH Voltage IGBT

with Diode

I_C25

= 30 A

= 1200 V

V_CES

"S" Series - Improved SCSOA Capability

V_CE(sat)= 3.4 V

Preliminary data

Symbol

TestConditions

MaximumRatings

TO-247 AD (IXSH)

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

1200

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MW

(TAB)

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

TO-268 ( IXST)

T_C= 90°C

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 10 W

Clampedinductiveload

I_CM= 40

@ 0.8 V_CES

t_SC

T_J= 125°C, V_GE= 720 V; V_GE= 15 V, R_G= 10 W

Nonrepetitive

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

-55 ... +150

• HighBlockingVoltage

• EpitaxialSilicondriftregion

- fast switching

M_d

Mountingtorque

(TO-247)

1.13/10 Nm/lb.in.

- small tail current

- low switching losses

Maximumleadtemperatureforsoldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

• MOS gate turn-on for drive simplicity

• Molding epoxies meet UL 94 V-0

flammabilityclassification

Maximum tab temperature for soldering (TO-268)

260

°C

Weight

TO-247

TO-268

Applications

• AC motor speed control

• DC servo and robot drives

• Uninterruptiblepowersupplies(UPS)

• Switched-modeandresonant-mode

powersupplies

Symbol

TestConditions

CharacteristicValues

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 1.0 mA, V_GE= 0 V

1200

• DC choppers

I_C= 250 mA, V_CE= V_GE

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

Note 1

50 mA

2.5 mA

T_J= 125°C

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

V_CE(sat)

I_C= I_C90,V_GE= 15 V

Note 2

3.0

2.8

3.4

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

98708A(7/00)

1 - 2

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IXST15N120BD1 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IXGT28N120BD1	IXYS	类似代替	High Voltage IGBT w/ Diode
IXGT15N120BD1	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode
IXGT15N120CD1	IXYS	类似代替	Low VCE(sat) IGBT with Diode High Speed IGBT with Diode

与IXST15N120BD1相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IXST24N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST24N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST30N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST30N60B2D1	LITTELFUSE	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IXST30N60BD1	IXYS	获取价格	High Speed IGBT with Diode
IXST30N60C	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
IXST35N120B	IXYS	获取价格	IGBT
IXST40N60B	IXYS	获取价格	High Speed IGBT
IXST40N60CD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3

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