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IXST24N60B

更新时间： 2024-10-02 12:35:35

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IXYS		双极性晶体管
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
High Speed IGBT

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IXST24N60B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-268AA
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.83
其他特性：	LOW CONDUCTION LOSS	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	48 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	6.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-268AA
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	150 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	MOTOR CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	470 ns	标称接通时间 (ton)：	130 ns

IXST24N60B 数据手册

IXSH 24N60B

IXST 24N60B

IXSH 24N60BD1

IXST 24N60BD1

V_CES

I_C25

= 600 V

= 48 A

High Speed IGBT

V_CE(sat)= 2.5 V

t_{fi typ}

Short Circuit SOA Capability

= 170 ns

(D1)

TO-247 AD (IXSH)

Symbol

TestConditions

Maximum Ratings

V_CES

V_CGR

T_J= 25°C to 150°C

600

(TAB)

T_J= 25°C to 150°C; R_GE= 1 MΩ

V_GES

V_GEM

Continuous

Transient

±20

±30

TO-268 (D3) ( IXST)

I_C25

I_C90

I_CM

T_C= 25°C

T_C= 90°C

(TAB)

T_C= 25°C, 1 ms

SSOA

(RBSOA)

V_GE= 15 V, T_J= 125°C, R_G= 33 Ω

Clamped inductive load, V_CC= 0.8 V_CES

I_CM= 48

@ 0.8 V_CES

G = Gate

E=Emitter

TAB = Collector

t_SC

(SCSOA)

V_GE= 15 V, V_CE= 360 V, T_J= 125°C

R_G= 33 Ω, non repetitive

µs

P_C

T_C= 25°C

150

T_J

-55 ... +150

150

°C

Features

T_JM

T_stg

^zInternational standard packages

^zGuaranteed Short Circuit SOA

capability

-55 ... +150

M_d

Mounting torque

1.13/10 Nm/lb.in.

^zLow V_CE(sat)

Weight

- for low on-state conduction losses

^zHigh current handling capability

^zMOS Gate turn-on

Maximum lead temperature for soldering

1.6 mm (0.062 in.) from case for 10 s

300

°C

- drive simplicity

^zFast Fall Time for switching speeds

up to 50 kHz

Symbol

TestConditions

Characteristic Values

(T_J= 25°C, unless otherwise specified)

min. typ. max.

Applications

BV_CES

V_GE(th)

I_C= 250 µA, V_GE= 0 V

600

3.5

AC and DC motor speed control

Uninterruptible power supplies (UPS)

Welding

I_C= 1.5 mA, V_CE= V_GE

6.5

I_CES

V_CE= 0.8 • V_CES

V_GE= 0 V

T_J= 25°C

T_J= 125°C

24N60B

24N60BD1

24N60B

25 µA

200 µA

Advantages

24N60BD1

Easy to mount with 1 screw (TO-247)

(isolated mounting screw hole)

High power density

I_GES

V_CE= 0 V, V_GE= ±20 V

±100 nA

2.5

V_CE(sat)

I_C= I_C90, V_GE= 15 V

DS98768B(02/03)

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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IXST30N60CD1	IXYS	获取价格	Short Circuit SOA Capability
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IXST40N60CD1	IXYS	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 75A I(C), N-Channel, TO-268AA, D3PAK-3
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