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IXFT12N100

更新时间： 2023-12-06 20:13:07

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力特 - LITTELFUSE		/
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IXFT12N100 数据手册

IXFT 10N100 IXFT 12N100

Fig. 7. GateChargeCharacteristicCurve

10µs

V_DS= 500V

I_D= 6A

I_G= 10mA

Limited by R_DS(on)

100µs

1ms

10ms

100ms

0.1

100

125

150

100

V_DS- Volts

1000

Gate Charge - nCoulombs

Fig. 8. CapacitanceCurves

Fig. 9. Source Current vs. Source

to Drain Voltage

4500

4000

3500

3000

2500

2000

1500

1000

500

C_iss

f = 1MHz

V_DS= 25V

T_J= 125°C

T_J= 25°C

C_oss

C_rss

0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4

V_DS- Volts

V_SD- Volts

Fig.10.

TransientThermalImpedance

0.1

D=0.5

D=0.2

D=0.1

D=0.05

D=0.02

D=0.01

0.01

0.001

Single Pulse

0.00001

0.0001

0.001

0.01

0.1

Time - Seconds

IXYS reserves the right to change limits, test conditions, and dimensions.

IXYSMOSFETs andIGBTsarecovered byoneormore

ofthefollowingU.S.patents:

4,835,592 4,881,106 5,017,508 5,049,961 5,187,117 5,486,715 6,306,728B1 6,259,123B1 6,306,728B1

4,850,072 4,931,844 5,034,796 5,063,307 5,237,481 5,381,025 6,404,065B1 6,162,665 6,534,343 6,583,505

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