5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | , | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.84 | 配置： | Single |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID)： | 25 A | FET 技术： | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-609代码： | e0 | 工作模式： | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度： | 150 °C | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 175 W | 子类别： | FET General Purpose Power |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IXFL25N20 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXFL30N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar Power MOSFET HiPerFET |
|
| IXFL30N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFL32N120P | IXYS |
获取价格 |
Polar HiPerFET Power MOSFET |
|
| IXFL32N120P | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 优点: 应用: |
|
| IXFL34N100 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFETTM Power MOSFETs ISOPLUS264(Electrically Isolated Backside) |
|
| IXFL34N100 | LITTELFUSE |
获取价格 |
功能与特色: 应用: 优点: |
|
| IXFL34N100_09 | IXYS |
获取价格 |
HiPerFET Power MOSFET ISOPLUS264 |
|
| IXFL350 | IXYS |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
| IXFL36N100P | LITTELFUSE |
获取价格 |
Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET, |
|
解析BAV99LT1G手册：参数分析、替换型号推荐
解读BSS138PW数据手册：产品特性、电气参数及替换型号推荐
CR2032资料手册解读：参数分析、替换型号推荐
CDSOT23-SM712参数分析、替代型号推荐
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
