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IS64WV102416BLL-10MA3

更新时间： 2024-09-15 03:02:35
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器
页数 文件大小 规格书
21页 123K
描述
1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY

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IS64WV102416BLL-10MA3 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：DSBGA
包装说明：TFBGA, BGA48,6X8,30针数：48
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：3A991.B.2.A
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.57
Is Samacsys：N最长访问时间：10 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PBGA-B48
JESD-609代码：e0长度：11 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：16湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：48
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：125 °C
最低工作温度：-40 °C组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TFBGA封装等效代码：BGA48,6X8,30
封装形状：RECTANGULAR封装形式：GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100座面最大高度：1.2 mm
最大待机电流：0.05 A最小待机电流：1.2 V
子类别：SRAMs最大压摆率：0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：BALL
端子节距：0.75 mm端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED宽度：9 mm
Base Number Matches：1

IS64WV102416BLL-10MA3 数据手册

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IS61WV102416ALL  
IS61WV102416BLL  
IS64WV102416BLL  
®
ISSI  
1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS  
CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY  
APRIL2006  
FEATURES  
• High-speed access times:  
8, 10, 20 ns  
• High-performance, low-power CMOS process  
• Multiple center power and ground pins for greater  
noise immunity  
DESCRIPTION  
TheISSIIS61WV102416ALL/BLLandIS64WV102416BLL  
are high-speed, 16M-bit static RAMs organized as 1024K  
words by 16 bits. It is fabricated using ISSI's high-perform-  
anceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupled  
withinnovativecircuitdesigntechniques,yieldshigh-perfor-  
mance and low power consumption devices.  
• Easy memory expansion with CE and OE op-  
tions  
• CE power-down  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
Easy memory expansion is provided by using Chip Enable  
and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW  
Write Enable (WE) controls both writing and reading of the  
memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower  
Byte (LB) access.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single power supply  
VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV102416ALL)  
speed = 20ns for VDD 1.65V to 2.2V  
VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV102416BLL)  
speed = 10ns for VDD 2.4V to 3.6V  
speed = 8ns for VDD 3.3V + 5%  
• Packages available:  
The device is packaged in the JEDEC standard 48-pin  
TSOP Type I and 48-pin Mini BGA (9mm x 11mm).  
–
48-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 48-pin TSOP (Type I)  
• Industrial and Automotive Temperature Support  
• Lead-free available  
• Data control for upper and lower bytes  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
1024K x 16  
MEMORY ARRAY  
A0-A19  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O0-I/O7  
Lower Byte  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
CIRCUIT  
I/O8-I/O15  
Upper Byte  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
UB  
LB  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. A  
02/13/06  
1234567...21

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IS64WV102416BLL-10MA3 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI

完全替代

 1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS62WV102416BLL-25MLI ISSI

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS64WV102416BLL-10MA3-TR ISSI

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IS64WV102416BLL-10MLA3 ISSI

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 		1M x 16 HIGH-SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH 3.3V SUPPLY
IS64WV102416BLL-10MLA3-TR ISSI

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 		SRAM
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 		Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
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