是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | PLASTIC, TSOP2-32 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.67 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 15 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 20.95 mm |
内存密度: | 1048576 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 湿度敏感等级: | 3 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 32 |
字数: | 131072 words | 字数代码: | 128000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 125 °C |
最低工作温度: | -40 °C | 组织: | 128KX8 |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | TSOP2 | 封装等效代码: | TSOP32,.46 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.7/3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
筛选级别: | AEC-Q100 | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.000075 A | 最小待机电流: | 1.8 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.05 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V |
表面贴装: | YES | 技术: | CMOS |
温度等级: | AUTOMOTIVE | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子节距: | 1.27 mm |
端子位置: | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED |
宽度: | 10.16 mm | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS64WV1024BLL-15TLA3 | ISSI |
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128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15BA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15TA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15TLA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL/DBLS | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL-12BA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL-12BA3-TR | ISSI |
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Application Specific SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS64WV12816DBLL-12BLA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM |