INTEGRATED SILICON SOLUTION, INC (美国芯成) 更新时间:2023-08-15 00:00:00
ISSI1988年成立,专门设计、开发、销售高性能存储半导体产品,用于Internet存储器件、网络设备、远程通讯和移动通讯设备、计算机外设等。公司的客户都是一些电子工业巨头,如3Com,Alcatel,Cisco,Ericsson,HewlettPackard,IBM,Lexmark,Motorola,Nokia,Seagate等公司。ISSI是国际化大公司,公司总部设在美国加州SantaClara,在美国、欧洲拥有分公司,在台湾有合资企业,在中国香港设有子公司,销售办事处分布在美国、欧洲、香港、中国、台湾、日本。共有雇员约500人。ISSI用0.25微米工艺技术生产最新进的SRAM产品,产品都是由代工服务商代为生产,台湾的TSMC、UMC、新加坡的CharteredSemiconductor都是它的合作伙伴。
型号 | 品牌 | 价格 | 文档 | 应用 | 描述 | |
IS61LPD25636D-200TQ | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ||
IS42S81600-7TL | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 16MX8, 5.4ns, CMOS, PDSO54, 0.400 MM INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 | ||
IS42S16800L-10TI | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 8MX16, 7ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | ||
IS61SPS51218D-5TQ | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | Cache SRAM, 512KX18, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ||
IS61NLF102418B-7.5B2I | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | ZBT SRAM, 1MX18, 7.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | ||
IS61QDP2B451236-300M3 | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | QDR SRAM, 512KX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.20 MM HEIGHT, LFBGA-165 | ||
IS61DDPB21M18A-500M3L | ISSI | 获取价格 | 双倍数据速率静态存储器 | DDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | ||
IS32WV10008ALL-100B | ISSI | 获取价格 | Pseudo Static RAM, 1MX8, 100ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, BGA-48 | |||
IS42VM16160D-8TLI | ISSI | 获取价格 | 动态存储器 | Synchronous DRAM, 16MX16, 6ns, CMOS, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-54 | ||
IS61DDB41M36C-250M3L | ISSI | 获取价格 | 双倍数据速率静态存储器 | DDR SRAM, 1MX36, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1.40 MM HEIGHT, LEAD FREE, LFBGA-165 | ||
IS61QDP2B41M18-300M3L | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | QDR SRAM, 1MX18, 0.45ns, CMOS, PBGA165, 13 X 15 MM, 1.20 MM HEIGHT, LEAD FREE, TFBGA-165 | ||
IC71V16F32AS04-85B | ISSI | 获取价格 | Memory IC, | |||
IS43DR16320-25EBLI | ISSI | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率内存集成电路 | DDR DRAM, 32MX16, CMOS, PBGA84, 13 X 10.50 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-84 | ||
IS43DR16640A-25DBL-TR | ISSI | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 64MX16, 0.4ns, CMOS, PBGA84, 8 X 13.65 MM, 1.20 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD F | ||
IS71VPCF32CS04-8570BI | ISSI | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Memory Circuit, Flash+SRAM, 2MX16, CMOS, PBGA73, 8 X 11.60 MM, 0.80 MM PITCH, FBGA-73 | ||
IS62V6416LL-12K | ISSI | 获取价格 | 静态存储器光电二极管 | Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44 | ||
IS42R16160J-75TL | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 16MX16, 5.4ns, CMOS, PDSO54, TSOP2-54 | ||
IS43LR32800D-6BL | ISSI | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13 MM, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-9 | ||
IS61NP25636-10TQI | ISSI | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | ZBT SRAM, 256KX36, 5ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ||
IS45S32160F-7TLA1 | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 | ||
IS41C16256-35K-TR | ISSI | 获取价格 | 动态存储器 | DRAM | ||
IS62WV102416EBLL-55BLI | ISSI | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Standard SRAM, 1MX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MO-207, VFBGA-48 | ||
IS65WV12816BLL-55BA3 | ISSI | 获取价格 | 静态存储器内存集成电路 | Standard SRAM, 128KX16, 55ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | ||
IS42RM32800D-10TLI | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 8MX32, 8ns, CMOS, PDSO86, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-86 | ||
IC43R16160B-5TL | ISSI | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率光电二极管内存集成电路 | DDR DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, PLASTIC, LEAD FREE, TSOP2-66 | ||
IS61LPD25632D-200TQI | ISSI | 获取价格 | 静态存储器 | Cache SRAM, 256KX32, 3.1ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100 | ||
IS25LD512-JDLI | ISSI | 获取价格 | 光电二极管 | Flash, 64KX8, PDSO8, LEAD FREE, TSSOP-8 | ||
IS46LR32160B-75BLA1-TR | ISSI | 获取价格 | 动态存储器双倍数据速率 | DDR DRAM, 16MX32, 6ns, CMOS, PBGA90 | ||
IS46R16160B-6TLA | ISSI | 获取价格 | 动态存储器光电二极管 | Synchronous DRAM, 16MX16, 0.7ns, CMOS, PDSO66, 0.400 INCH, 0.65 MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2 | ||
IS49NLC93200-25EBL | ISSI | 获取价格 | 时钟动态存储器双倍数据速率内存集成电路 | DDR DRAM, 32MX9, 2.5ns, CMOS, PBGA144, 11 X 18.50 MM, LEAD FREE, FBGA-144 |
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