是否无铅: | 不含铅 | 是否Rohs认证: | 符合 |
生命周期: | Active | 零件包装代码: | TSOP2 |
包装说明: | TSOP2, TSOP32,.46 | 针数: | 32 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | 3A991.B.2.B |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.66 |
最长访问时间: | 15 ns | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PDSO-G32 | JESD-609代码: | e3 |
长度: | 20.95 mm | 内存密度: | 1048576 bit |
内存集成电路类型: | STANDARD SRAM | 内存宽度: | 8 |
湿度敏感等级: | 3 | 功能数量: | 1 |
端子数量: | 32 | 字数: | 131072 words |
字数代码: | 128000 | 工作模式: | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度: | 125 °C | 最低工作温度: | -40 °C |
组织: | 128KX8 | 输出特性: | 3-STATE |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP2 |
封装等效代码: | TSOP32,.46 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | 260 | 电源: | 2.7/3.3 V |
认证状态: | Not Qualified | 筛选级别: | AEC-Q100 |
座面最大高度: | 1.2 mm | 最大待机电流: | 0.000075 A |
最小待机电流: | 1.8 V | 子类别: | SRAMs |
最大压摆率: | 0.05 mA | 最大供电电压 (Vsup): | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | AUTOMOTIVE |
端子面层: | Matte Tin (Sn) - annealed | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | 40 | 宽度: | 10.16 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
IS64WV12816BLL | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15BA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15TA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816BLL-15TLA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL/DBLS | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL-12BA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL-12BA3-TR | ISSI |
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Application Specific SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, MINI, BGA-48 | |
IS64WV12816DBLL-12BLA3 | ISSI |
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128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM | |
IS64WV12816DBLL-12BLA3-TR | ISSI |
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Application Specific SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PBGA48, 6 X 8 MM, LEAD FREE, MINI, BGA-48 |