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IS64WV1288DBLL-10TA3-TR

更新时间： 2024-11-21 06:21:23
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
19页 470K
描述
Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,

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IS64WV1288DBLL-10TA3-TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G32内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：32字数：131072 words
字数代码：128000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：128KX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP32,.46封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100最大待机电流：0.00009 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.065 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL

IS64WV1288DBLL-10TA3-TR 数据手册

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IS63WV1288DALL/DALS  
IS63WV1288DBLL/DBLS  
IS64WV1288DBLL/DBLS  
MARCHꢀ2011  
128Kꢀxꢀ8ꢀꢀHIGH-SPEEDꢀCMOSꢀSTATICꢀRAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
HIGHꢀSPEED:ꢀ(IS63/64WV1288DALL/DBLL)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ8,ꢀ10,ꢀ12,ꢀ20ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ135ꢀmWꢀ(typical)  
TheꢀISSIꢀIS63/64WV1288Dxxxꢀisꢀaꢀveryꢀhigh-speed,ꢀ  
lowꢀpower,ꢀ131,072-wordꢀbyꢀ8-bitꢀCMOSꢀstaticꢀRAM.ꢀ  
TheꢀIS63/64WV1288DBLLꢀisꢀfabricatedꢀusingꢀISSI'sꢀ  
high-performanceꢀCMOSꢀtechnology.ꢀThisꢀhighlyꢀreliableꢀ  
processꢀcoupledꢀwithꢀinnovativeꢀcircuitꢀdesignꢀꢀ  
techniques,ꢀyieldsꢀhigherꢀperformanceꢀandꢀlowꢀpowerꢀ  
consumptionꢀdevices.  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)  
CMOSꢀstandby  
LOWꢀPOWER:ꢀ(IS63/64WV1288DALS/DBLS)  
•ꢀ High-speedꢀaccessꢀtime:ꢀ25,ꢀ35ꢀns  
•ꢀ LowꢀActiveꢀPower:ꢀ55ꢀmWꢀ(typical)  
When CE isꢀHIGHꢀ(deselected),ꢀtheꢀdeviceꢀassumesꢀaꢀ  
standbyꢀmodeꢀatꢀwhichꢀtheꢀpowerꢀdissipationꢀcanꢀbeꢀre-  
ducedꢀdownꢀtoꢀ25ꢀµWꢀ(typical)ꢀwithꢀCMOSꢀinputꢀlevels.  
•ꢀ LowꢀStandbyꢀPower:ꢀ12ꢀµWꢀ(typical)  
CMOSꢀstandby  
TheꢀIS63/64WV1288DBLLꢀoperatesꢀfromꢀaꢀsingleꢀVddꢀ  
powerꢀsupply.ꢀTheꢀIS63/64WV1288Dxxxꢀisꢀavailableꢀinꢀ  
32-pinꢀTSOPꢀ(TypeꢀII),ꢀ32-pinꢀsTSOPꢀ(TypeꢀI),ꢀ48-Ballꢀ  
miniBGAꢀ(6mmꢀxꢀ8mm),ꢀandꢀ32-pinꢀSOJꢀ(300-mil)ꢀpack-  
ages.  
•ꢀ Singleꢀpowerꢀsupply  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ1.65Vꢀtoꢀ2.2Vꢀ(IS63WV1288DAxx)  
ꢀ —ꢀꢀVddꢀ2.4Vꢀtoꢀ3.6Vꢀ(IS63/64WV1288DBxx)  
•ꢀ Multipleꢀcenterꢀpowerꢀandꢀgroundꢀpinsꢀforꢀ  
greaterꢀnoiseꢀimmunity  
•ꢀ EasyꢀmemoryꢀexpansionꢀwithꢀCE andꢀOE options  
•ꢀ CEꢀpower-down  
•ꢀ Fullyꢀstaticꢀoperation:ꢀnoꢀclockꢀorꢀrefreshꢀꢀ  
required  
•ꢀ TTLꢀcompatibleꢀinputsꢀandꢀoutputs  
•ꢀ Lead-freeꢀavailable  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
128K X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A16  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
CIRCUIT  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
Copyrightꢀ©ꢀ2011ꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀꢀAllꢀrightsꢀreserved.ꢀꢀISSIꢀreservesꢀtheꢀrightꢀtoꢀmakeꢀchangesꢀtoꢀthisꢀspecificationꢀandꢀitsꢀproductsꢀatꢀanyꢀtimeꢀwithoutꢀnotice.ꢀISSIꢀ  
assumesꢀnoꢀliabilityꢀarisingꢀoutꢀofꢀtheꢀapplicationꢀorꢀuseꢀofꢀanyꢀinformation,ꢀproductsꢀorꢀservicesꢀdescribedꢀherein.ꢀCustomersꢀareꢀadvisedꢀtoꢀobtainꢀtheꢀlatestꢀversionꢀofꢀthisꢀdeviceꢀ  
specificationꢀbeforeꢀrelyingꢀonꢀanyꢀpublishedꢀinformationꢀandꢀbeforeꢀplacingꢀordersꢀforꢀproducts.  
IntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀInc.ꢀdoesꢀnotꢀrecommendꢀtheꢀuseꢀofꢀanyꢀofꢀitsꢀproductsꢀinꢀlifeꢀsupportꢀapplicationsꢀwhereꢀtheꢀfailureꢀorꢀmalfunctionꢀofꢀtheꢀproductꢀcanꢀreasonablyꢀbeꢀex-  
pectedꢀtoꢀcauseꢀfailureꢀofꢀtheꢀlifeꢀsupportꢀsystemꢀorꢀtoꢀsignificantlyꢀaffectꢀitsꢀsafetyꢀorꢀeffectiveness.ꢀProductsꢀareꢀnotꢀauthorizedꢀforꢀuseꢀinꢀsuchꢀapplicationsꢀunlessꢀIntegratedꢀSiliconꢀ  
Solution,ꢀInc.ꢀreceivesꢀwrittenꢀassuranceꢀtoꢀitsꢀsatisfaction,ꢀthat:  
a.)ꢀtheꢀriskꢀofꢀinjuryꢀorꢀdamageꢀhasꢀbeenꢀminimized;  
b.)ꢀtheꢀuserꢀassumeꢀallꢀsuchꢀrisks;ꢀand  
c.)ꢀpotentialꢀliabilityꢀofꢀIntegratedꢀSiliconꢀSolution,ꢀIncꢀisꢀadequatelyꢀprotectedꢀunderꢀtheꢀcircumstancesꢀ  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774 ꢀ  
1
Rev.ꢀ A  
02/03/2011  
1234567...19

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