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IS64WV20488BLL-10TA3-TR

更新时间： 2024-11-24 13:08:55
品牌 Logo 应用领域
美国芯成 - ISSI 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
20页 118K
描述
Standard SRAM, 2MX8, 10ns, CMOS, PDSO44,

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IS64WV20488BLL-10TA3-TR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.92
最长访问时间：10 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-G44内存密度：16777216 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：8
端子数量：44字数：2097152 words
字数代码：2000000工作模式：ASYNCHRONOUS
最高工作温度：125 °C最低工作温度：-40 °C
组织：2MX8输出特性：3-STATE
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP
封装等效代码：TSOP44,.46,32封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
电源：2.5/3.3 V认证状态：Not Qualified
筛选级别：AEC-Q100最大待机电流：0.06 A
最小待机电流：1.2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.14 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：AUTOMOTIVE
端子形式：GULL WING端子节距：0.8 mm
端子位置：DUALBase Number Matches：1

IS64WV20488BLL-10TA3-TR 数据手册

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IS61WV20488ALL  
IS61WV20488BLL  
IS64WV20488BLL  
®
ISSI  
PRELIMINARYINFORMATION  
JANUARY2006  
2M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM  
FEATURES  
DESCRIPTION  
• High-speed access times:  
8, 10, 20 ns  
• High-performance, low-power CMOS process  
• Multiple center power and ground pins for  
greater noise immunity  
• Easy memory expansion with CE and OE  
TheISSIIS61WV20488ALL/BLLandIS64WV20488BLL  
are very high-speed, low power, 2M-word by 8-bit CMOS  
static RAM. The IS61WV20488ALL/BLL and  
IS64WV20488BLLarefabricatedusingISSI'shigh-  
performance CMOS technology. This highly reliable  
process coupled with innovative circuit design tech-  
niques, yields higher performance and low power con-  
sumption devices.  
options  
• CE power-down  
• Fully static operation: no clock or refresh  
required  
When CE is HIGH (deselected), the device assumes a  
standby mode at which the power dissipation can be  
reduced down with CMOS input levels.  
• TTL compatible inputs and outputs  
• Single power supply  
TheIS61WV20488ALL/BLLandIS64WV20488BLL  
operate from a single power supply and all inputs are  
TTL-compatible.  
– VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV20488ALL)  
speed = 20ns for Vcc = 1.65V to 2.2V  
– VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV20488BLL)  
speed = 10ns for Vcc = 2.4V to 3.6V  
speed = 8ns for Vcc = 3.3V + 5%  
• Packages available:  
TheIS61WV20488ALL/BLLandIS64WV20488BLLare  
available in 48 ball mini BGA and 44-pin TSOP (Type II)  
packages.  
–
48-ball miniBGA (9mm x 11mm)  
– 44-pin TSOP (Type II)  
• Industrial and Automotive Temperature Support  
• Lead-free available  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
2M X 8  
MEMORY ARRAY  
A0-A20  
DECODER  
VDD  
GND  
I/O  
DATA  
COLUMN I/O  
I/O0-I/O7  
CIRCUIT  
CE  
OE  
WE  
CONTROL  
CIRCUIT  
Copyright © 2006 Integrated Silicon Solution, Inc. All rights reserved. ISSI reserves the right to make changes to this specification and its products at any time  
without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to  
obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.  
Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774  
1
Rev. 00C  
01/09/06  
1234567...20

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与IS64WV20488BLL-10TA3-TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IS64WV25616BLL/BLS ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV25616BLL-10BA3 ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV25616BLL-10BLA3 ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV25616BLL-10CTA3 ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV25616BLL-10CTLA3 ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, TSOP2-44
IS64WV25616BLL-10CTLA3-TR ISSI

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 		Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44
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 		Standard SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, LEAD FREE, TSOP2-44
IS64WV25616EDBLL ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS64WV25616EDBLL-10BA1 ISSI

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 		256K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS64WV25616EDBLL-10BA1-TR ISSI

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 		Application Specific SRAM, 256KX16, 10ns, CMOS, PBGA48

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