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IS64WV12816DBLL-12CTA3-TR

更新时间： 2024-11-20 12:57:59

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数	文件大小	规格书
21页	238K
描述
128K X 16 APPLICATION SPECIFIC SRAM, 12ns, PDSO44, PLASTIC, TSOP2-44

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IS64WV12816DBLL-12CTA3-TR 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	PLASTIC, TSOP2-44
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.6
最长访问时间：	12 ns	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G44	JESD-609代码：	e3
长度：	18.415 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	APPLICATION SPECIFIC SRAM	内存宽度：	16
湿度敏感等级：	1	功能数量：	1
端子数量：	44	字数：	131072 words
字数代码：	128000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	125 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	128KX16	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	225	电源：	2.5/3.3 V
认证状态：	Not Qualified	筛选级别：	AEC-Q100
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.0001 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.075 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	AUTOMOTIVE	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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IS61WV12816DALL/DALS

IS61WV12816DBLL/DBLS

IS64WV12816DBLL/DBLS

128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS

CMOS STATIC RAM

MAY2008

DESCRIPTION

FEATURES

TheISSIIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxx

are high-speed, 2,097,152-bit static RAMs organized as

131,072 words by 16 bits. It is fabricated usingISSI's high-

performance CMOS technology. This highly reliable pro-

cess coupled with innovative circuit design techniques,

yields high-performance and low power consumption de-

vices.

HIGH SPEED: (IS61/64WV12816DALL/DBLL)

• High-speed access time: 8, 10, 12, 20 ns

• Low Active Power: 135 mW (typical)

• Low Standby Power: 12 μW (typical)

CMOS standby

LOW POWER: (IS61/64WV12816DALS/DBLS)

• High-speed access time: 25, 35 ns

• Low Active Power: 55 mW (typical)

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• Low Standby Power: 12 μW (typical)

CMOS standby

Easy memory expansion is provided by using Chip Enable

and Output Enable inputs, CE and OE. The active LOW

Write Enable (WE) controls both writing and reading of the

memory. A data byte allows Upper Byte (UB) and Lower

Byte (LB) access.

• Single power supply

— V^DD1.65V to 2.2V (IS61WV12816DAxx)

— V^DD2.4V to 3.6V (IS61/64WV12816DBxx)

• Fully static operation: no clock or refresh

required

TheIS61WV12816DAxx/DBxxandIS64WV12816DBxxare

packagedintheJEDECstandard44-pinTSOPTypeII and

48-pin Mini BGA (6mm x 8mm).

• Three state outputs

• Data control for upper and lower bytes

• Industrial and Automotive temperature support

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

128K x 16

MEMORY ARRAY

A0-A16

DECODER

VDD

GND

I/O0-I/O7

Lower Byte

I/O

DATA

COLUMN I/O

CIRCUIT

I/O8-I/O15

Upper Byte

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com

Rev. C

05/01/08

12 3 4 5 6 7...21

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS64WV12816DBLL-12CTLA3	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV12816DBLL-12CTLA3-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
IS64WV12816DBLS	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM
IS64WV12816EDBLL	ISSI	获取价格	128K x 16 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS64WV1288DBLL/DBLS	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV1288DBLL-10TA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS64WV1288DBLL-10TA3-TR	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 10ns, CMOS, PDSO32,
IS64WV1288EEBLL	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS64WV1288EEBLL-10BA1	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC
IS64WV1288EEBLL-10BA3	ISSI	获取价格	256K x 8 HIGH SPEED ASYNCHRONOUS CMOS STATIC RAM WITH ECC

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