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IS64WV10248BLL-10MA3

更新时间： 2024-11-05 12:04:03

品牌	Logo	应用领域
美国芯成 - ISSI		存储内存集成电路静态存储器
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20页	198K
描述
1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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IS64WV10248BLL-10MA3 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Active	零件包装代码：	BGA
包装说明：	TFBGA, BGA48,6X8,32	针数：	48
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	3A991.B.2.A
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.81
Is Samacsys：	N	最长访问时间：	10 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PBGA-B48
JESD-609代码：	e0	长度：	11 mm
内存密度：	8388608 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	8	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	1048576 words	字数代码：	1000000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	125 °C
最低工作温度：	-40 °C	组织：	1MX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TFBGA	封装等效代码：	BGA48,6X8,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	2.5/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
筛选级别：	AEC-Q100	座面最大高度：	1.2 mm
最大待机电流：	0.07 A	最小待机电流：	1.2 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V	最小供电电压 (Vsup)：	2.4 V
标称供电电压 (Vsup)：	3 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	AUTOMOTIVE
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.75 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	宽度：	9 mm
Base Number Matches：	1

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IS61WV10248ALL

IS61WV10248BLL

IS64WV10248BLL

JUNE2008

1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

FEATURES

DESCRIPTION

• High-speed access times:

8, 10, 20 ns

• High-performance, low-power CMOS process

• Multiple center power and ground pins for

greater noise immunity

• Easy memory expansion with CE and OE

TheISSIIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLL

are very high-speed, low power, 1M-word by 8-bit CMOS

static RAM. The IS61WV10248ALL/BLL and

IS64WV10248BLLarefabricatedusingISSI'shigh-

performance CMOS technology. This highly reliable

process coupled with innovative circuit design tech-

niques, yields higher performance and low power con-

sumption devices.

options

• CE power-down

• Fully static operation: no clock or refresh

required

When CE is HIGH (deselected), the device assumes a

standby mode at which the power dissipation can be

reduced down with CMOS input levels.

• TTL compatible inputs and outputs

• Single power supply

TheIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLL

operate from a single power supply and all inputs are

TTL-compatible.

– VDD 1.65V to 2.2V (IS61WV10248ALL)

speed = 20ns for Vcc = 1.65V to 2.2V

– VDD 2.4V to 3.6V (IS61/64WV10248BLL)

speed = 10ns for Vcc = 2.4V to 3.6V

speed = 8ns for Vcc = 3.3V + 5%

• Packages available:

TheIS61WV10248ALL/BLLandIS64WV10248BLLare

available in 48 ball mini BGA and 44-pin TSOP (Type II)

packages.

–

48-ball miniBGA (9mm x 11mm)

– 44-pin TSOP (Type II)

• Industrial and Automotive Temperature Support

• Lead-free available

FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM

1M X 8

MEMORY ARRAY

A0-A19

DECODER

VDD

GND

I/O

DATA

COLUMN I/O

I/O0-I/O7

CIRCUIT

CONTROL

CIRCUIT

without notice. ISSI assumes no liability arising out of the application or use of any information, products or services described herein. Customers are advised to

obtain the latest version of this device specification before relying on any published information and before placing orders for products.

Integrated Silicon Solution, Inc. — www.issi.com — 1-800-379-4774

Rev. B

06/03/08

12 3 4 5 6 7...20

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IS64WV10248BLL-10TA3	ISSI	获取价格	1M x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV10248EDBLL-10CTLA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 1MX8, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, LEAD FREE, TSOP2-44
IS64WV1024BLL	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV1024BLL-12BA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PBGA48, 8 X 6 MM, MO-207, TFBGA-48
IS64WV1024BLL-12BLA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PBGA48, 8 X 6 MM, LEAD FREE, MO-207, TFBGA-48
IS64WV1024BLL-12HA3	ISSI	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 12ns, CMOS, PDSO32, 13.4 X 8 MM, MO-183, TSOP1-32
IS64WV1024BLL-15BA3	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV1024BLL-15BLA3	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV1024BLL-15HA3	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM
IS64WV1024BLL-15HLA3	ISSI	获取价格	128K x 8 HIGH-SPEED CMOS STATIC RAM

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