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IRLMS1902TR

更新时间： 2024-09-13 13:00:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 185K
描述
Power Field-Effect Transistor, 3.2A I(D), 20V, 0.1ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6

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IRLMS1902TR 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Active
包装说明：MICRO-6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.73
Is Samacsys：N其他特性：HIGH RELIABILITY
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最小漏源击穿电压：20 V
最大漏极电流 (ID)：3.2 A最大漏源导通电阻：0.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：18 A认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

IRLMS1902TR 数据手册

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PD - 91540C  
IRLMS1902  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Micro6 Package Style  
l Ultra Low RDS(on)  
A
1
2
6
D
D
D
VDSS = 20V  
5
D
l N-Channel MOSFET  
3
4
G
S
RDS(on) = 0.10Ω  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniquestoachieveextremelylowon-resistanceper  
silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The Micro6package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)  
60% less than a similar size SOT-23. This package is  
idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace  
isatapremium. It'suniquethermaldesignandRDS(on)  
reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly  
300% compared to the SOT-23.  
Micro6  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
3.2  
2.6  
A
18  
1.7  
PD @TA = 25°C  
PowerDissipation  
W
mW/°C  
V
LinearDeratingFactor  
13  
VGS  
Gate-to-SourceVoltage  
± 12  
dv/dt  
PeakDiodeRecoverydv/dt‚  
JunctionandStorageTemperatureRange  
5.0  
V/ns  
°C  
TJ, TSTG  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
75  
°C/W  
www.irf.com  
1
3/18/04  
12345678

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IRLMS1902TR 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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