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IRLMS2002TRPBF PDF预览

IRLMS2002TRPBF

更新时间： 2024-10-30 12:28:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率场效应晶体管开关脉冲光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 158K
描述
Ultra Low On-Resistance

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IRLMS2002TRPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
Factory Lead Time：15 weeks风险等级：0.73
其他特性：ULTRA-LOW RESISTANCE配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：20 V最大漏极电流 (ID)：6.5 A
最大漏源导通电阻：0.03 ΩFET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：R-PDSO-G6JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：6工作模式：ENHANCEMENT MODE
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)：20 A表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLMS2002TRPBF 数据手册

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PD- 95675  
IRLMS2002PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Ultra Low On-Resistance  
l N-Channel MOSFET  
l Surface Mount  
l Available in Tape & Reel  
l 2.5V Rated  
A
1
2
6
D
D
D
VDSS = 20V  
5
D
3
4
l Lead-Free  
G
S
RDS(on) = 0.030Ω  
Top View  
Description  
These N-Channel MOSFETs from International Rectifier  
utilize advanced processing techniques to achieve the  
extremely low on-resistance per silicon area. This benefit  
provides the designer with an extremely efficient device for  
use in battery and load management applications.  
The Micro6™ package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on) 60%  
less than a similar size SOT-23. This package is ideal for  
applications where printed circuit board space is at a  
premium. It'suniquethermaldesignandRDS(on) reduction  
enables a current-handling increase of nearly 300%  
compared to the SOT-23.  
Micro6™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VDS  
Drain- Source Voltage  
20  
V
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA= 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V  
Pulsed Drain Current   
6.5  
5.2  
A
20  
PD @TA = 25°C  
PD @TA = 70°C  
Power Dissipation  
2.0  
W
Power Dissipation  
1.3  
Linear Derating Factor  
0.016  
± 12  
W/°C  
V
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
TJ, TSTG  
Junction and Storage Temperature Range  
-55 to + 150  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Maximum Junction-to-Ambientƒ  
Max.  
62.5  
Units  
°C/W  
RθJA  
www.irf.com  
1
1/18/05  
12345678

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IRLMS2002TRPBF 替代型号

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