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IRLMS5703TR

更新时间： 2024-11-21 15:45:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		开关脉冲光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	172K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MICRO-6

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IRLMS5703TR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	MICRO-6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.73
其他特性：	HIGH RELIABILITY	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：	30 V	最大漏极电流 (ID)：	2.3 A
最大漏源导通电阻：	0.2 Ω	FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	6	工作模式：	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	P-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	13 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLMS5703TR 数据手册

PD - 91413E

IRLMS5703

HEXFET^®Power MOSFET

l Generation V Technology

l Micro6 Package Style

l Ultra Low Rds(on)

V_DSS= -30V

l P-Channel MOSFET

R_DS(on)= 0.20Ω

Description

T op V iew

Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier

utilize advanced processing techniques to achieve

extremely low on-resistance per silicon area. This

benefit, combined with the fast switching speed and

ruggedized device design that HEXFET Power

MOSFETs are well known for, provides the designer

with an extremely efficient and reliable device for use

in a wide variety of applications.

The Micro6 package with its customized leadframe

produces a HEXFET power MOSFET with Rds(on)

60% less than a similar size SOT-23. This package is

idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace

is at a premium. It's unique thermal design and R_DS(on)

reductionenablesacurrent-handlingincreaseofnearly

300% compared to the SOT-23.

M icro6

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

-2.3

Units

I_D@ T_A= 25°C

I_D@ T_A= 70°C

I_DM

Continuous Drain Current, V_GS@ -10V

Continuous Drain Current, V_GS@- 10V

Pulsed Drain Current

-1.9

-13

P_D@T_A= 25°C

Power Dissipation

1.7

mW/°C

Linear Derating Factor

V_GS

Gate-to-Source Voltage

± 20

dv/dt

Peak Diode Recovery dv/dt

Junction and Storage Temperature Range

5.0

V/ns

°C

T_J,T_STG

-55 to + 150

Thermal Resistance Ratings

Parameter

Min.

Typ.

Max

Units

R_θJA

Maximum Junction-to-Ambient

–––

°C/W

4/7/04

12 3 4 5 6 7...9

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IRLMS5703TR 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRLMS5703TRPBF	INFINEON	类似代替	Generation V Technology
IRLMS5703PBF	INFINEON	类似代替	Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Met
IRLMS5703	INFINEON	类似代替	HEXFET Power MOSFET

与IRLMS5703TR相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLMS5703TRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology
IRLMS6702	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLMS6702PBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology, Micro6 Package Style, Ultra Low RDS
IRLMS6702PBF-1	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout Micro-6 Package
IRLMS6702PBF-1_15	INFINEON	获取价格	Industry-standard pinout Micro-6 Package
IRLMS6702TR	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLMS6702TRPBF	INFINEON	获取价格	Generation V Technology
IRLMS6702TRPBF-1	INFINEON	获取价格	Power Field-Effect Transistor
IRLMS6802	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET
IRLMS6802PBF	INFINEON	获取价格	HEXFET Power MOSFET

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