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IRLMS5703PBF

更新时间： 2024-11-21 15:46:11
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 开关脉冲光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 206K
描述
Power Field-Effect Transistor, 2.4A I(D), 30V, 0.18ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, LEAD FREE, MICRO-6

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IRLMS5703PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.15
其他特性：HIGH RELIABILITY配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：30 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：1.6 A
最大漏极电流 (ID)：2.4 A最大漏源导通电阻：0.18 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：6
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：P-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：0.78 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)：13 A认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRLMS5703PBF 数据手册

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PD - 94896  
IRLMS5703PbF  
HEXFET® Power MOSFET  
l Generation V Technology  
l Micro6 Package Style  
l Ultra Low RDS(on)  
l P-channel MOSFET  
l Lead-Free  
A
D
1
2
6
D
D
VDSS = -30V  
5
D
3
4
G
S
RDS(on) = 0.18Ω  
Description  
Top View  
Fifth Generation HEXFET® power MOSFETs from  
International Rectifier utilize advanced processing  
techniques to achieve extremely low on-resistance  
per silicon area. This benefit, combined with the fast  
switching speed and ruggedized device design that  
HEXFET® power MOSFETs are well known for,  
provides the designer with an extremely efficient and  
reliable device for use in a wide variety of applications.  
The Micro6™ package with its customized leadframe  
produces a HEXFET® power MOSFET with RDS(on)  
60% less than a similar size SOT-23. This package is  
idealforapplicationswhereprintedcircuitboardspace  
isatapremium. It'suniquethermaldesignandRDS(on)  
reduction enables a current-handling increase of  
nearly 300% compared to the SOT-23.  
Micro6™  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
-2.4  
Units  
ID @ TA = 25°C  
ID @ TA = 70°C  
IDM  
Continuous Drain Current, VGS @ -10V  
Continuous Drain Current, VGS @- 10V  
Pulsed Drain Current   
-1.9  
A
-13  
PD @TA = 25°C  
Power Dissipation  
1.7  
W
mW/°C  
V
Linear Derating Factor  
13  
VGS  
Gate-to-Source Voltage  
± 20  
dv/dt  
TJ,TSTG  
Peak Diode Recovery dv/dt ‚  
Junction and Storage Temperature Range  
5.0  
V/ns  
°C  
-55 to + 150  
Thermal Resistance Ratings  
Parameter  
Min.  
Typ.  
Max  
Units  
RθJA  
Maximum Junction-to-Ambient „  
–––  
–––  
75  
°C/W  
www.irf.com  
1
1/18/05  
12345678

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IRLMS5703PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRLMS5703TR INFINEON

类似代替

 Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 30V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
IRLMS5703 INFINEON

类似代替

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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IRLMS5703TR INFINEON

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IRLMS5703TRPBF INFINEON

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 		Generation V Technology
IRLMS6702 INFINEON

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 		HEXFET Power MOSFET
IRLMS6702PBF INFINEON

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 		Generation V Technology, Micro6 Package Style, Ultra Low RDS
IRLMS6702PBF-1 INFINEON

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 		Industry-standard pinout Micro-6 Package
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 		Power Field-Effect Transistor, 2.3A I(D), 20V, 0.2ohm, 1-Element, P-Channel, Silicon, Meta
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