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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRLR014 | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET |
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| IRLR014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLR014 | SAMSUNG |
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Power Field-Effect Transistor, 6.7A I(D), 60V, 0.3ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLR014, IRLU014, SiHLR014, SiHLU014 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLR014_10 | VISHAY |
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Power MOSFET |
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| IRLR014A | ETC |
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TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 60V V(BR)DSS | 8.2A I(D) | TO-252AA |
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| IRLR014N | INFINEON |
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HEXFET Power MOSFET |
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| IRLR014NPBF | INFINEON |
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HEXFET POWER MOSFET ( VDSS = 55V , RDS(on) = |
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| IRLR014NTR | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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| IRLR014NTRL | INFINEON |
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Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 55V, 0.14ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta |
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