IRLR014PBF

更新时间： 2024-09-16 05:39:31

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威世 - VISHAY		晶体晶体管功率场效应晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	2167K
描述
Power MOSFET

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IRLR014PBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Transferred	零件包装代码：	TO-252
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	3.45	其他特性：	LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级（Eas）：	27.4 mJ	外壳连接：	DRAIN
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE	最小漏源击穿电压：	60 V
最大漏极电流 (ID)：	7.7 A	最大漏源导通电阻：	0.2 Ω
FET 技术：	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	JEDEC-95代码：	TO-252
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	2
工作模式：	ENHANCEMENT MODE	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大脉冲漏极电流 (IDM)：	31 A
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

IRLR014PBF 数据手册

IRLR014, IRLU014, SiHLR014, SiHLU014

Vishay Siliconix

Power MOSFET

FEATURES

• Dynamic dV/dt Rating

PRODUCT SUMMARY

V_DS(V)

Available

• Surface Mount (IRLR014/SiHLR014)

0.20

R_DS(on)(Ω)

Q_g(Max.) (nC)

Q_gs(nC)

V_GS= 5.0 V

RoHS*

• Straight Lead (IRLU014/SiHLU014)

8.4

3.5

COMPLIANT

• Available in Tape and Reel

• Logic-Level Gate Drive

• R_DS(on)Specified at V_GS= 4 V and 5 V

• Fast Switching

_gd(nC)

6.0

Configuration

Single

• Lead (Pb)-free Available

DPAK

(TO-252)

IPAK

(TO-251)

DESCRIPTION

Third generation Power MOSFETs from Vishay provide the

designer with the best combination of fast switching,

ruggedized device design, low on-resistance and

cost-effectiveness.

The DPAK is designed for surface mounting using vapor

phase, infrared, or wave soldering techniques. The straight

N-Channel MOSFET

lead version (IRFU/SiHFU series) is for through-hole

mounting applications. Power dissipation levels up to 1.5 W

are possible in typical surface mount applications.

ORDERING INFORMATION

Package

DPAK (TO-252)

IRLR014TRLPbF^a

SiHLR014TL-E3^a

IRLR014TRL^a

IPAK (TO-251)

IRLU014PbF

SiHLU014-E3

IRLU014

IRLR014PbF

SiHLR014-E3

IRLR014

IRLR014TRPbF^a

SiHLR014T-E3^a

IRLR014TR^a

Lead (Pb)-free

SnPb

SiHLR014

SiHLR014T^a

SiHLR014TL^a

SiHLU014

Note

a. See device orientation.

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS T_C= 25 °C, unless otherwise noted

PARAMETER

SYMBOL

LIMIT

UNIT

Drain-Source Voltage

Gate-Source Voltage

V_DS

V_GS

T_C= 25 °C

T_C=100°C

7.7

4.9

Continuous Drain Current

V_GSat 5.0 V

I_D

Pulsed Drain Current^a

I_DM

Linear Derating Factor

0.20

0.020

W/°C

Linear Derating Factor (PCB Mount)^e

Single Pulse Avalanche Energy^b

Maximum Power Dissipation

Maximum Power Dissipation (PCB Mount)^e

Peak Diode Recovery dV/dt^c

E_AS

P_D

_C= 25 °C

T_A= 25 °C

2.5

dV/dt

4.5

V/ns

°C

Operating Junction and Storage Temperature Range

Soldering Recommendations (Peak Temperature)

T_J, T_stg

- 55 to + 150

260^d

for 10 s

Notes

a. Repetitive rating; pulse width limited by maximum junction temperature (see fig. 11).

b. V_DD= 25 V, starting T_J= 25 °C, L = 924 µH, R_G= 25 Ω, I_AS= 7.7 A (see fig. 12).

c. I_SD≤ 10 A, dI/dt ≤ 90 A/µs, V_DD≤ V_DS, T_J≤ 150 °C.

d. 1.6 mm from case.

e. When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 material).

* Pb containing terminations are not RoHS compliant, exemptions may apply

Document Number: 91321

S-Pending-Rev. A, 21-Jul-08

www.vishay.com

WORK-IN-PROGRESS

12 3 4 5 6 7 8

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IRLR014PBF 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
NTD3055L104T4G	ONSEMI	功能相似	Power MOSFET
RFD14N05LSM	FAIRCHILD	功能相似	14A, 50V, 0.100 Ohm, Logic Level, N-Channel Power MOSFETs

与IRLR014PBF相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRLR014TR	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR014TRL	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR014TRLPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR014TRPBF	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR020	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| MOSFET \| N-CHANNEL \| 50V V(BR)DSS \| 14A I(D) \| TO-252
IRLR024	INFINEON	获取价格	5-BIT PROGRAMMABLE SYNCHRONOUS BUCK, NON-SYNCHRONOUS,ADJUSTABLE LDO AND 200mA ON-BOARD LDO
IRLR024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024	SAMSUNG	获取价格	Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 60V, 0.15ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Meta
IRLR024, IRLU024, SiHLR024, SiHLU024	VISHAY	获取价格	Power MOSFET
IRLR024_09	VISHAY	获取价格	Power MOSFET

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